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Q自动复位是否也会带来哪些使用中的安全隐患？
A需要设计者评估对整体系统的影响。也可以通过设定来改变自动复位的参数
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Q我如果想知道电子熔丝的状态，要怎么去检测它的实时状态比较好？
A通过LIN通讯可以查询到E-FUSE的状态，比如电流幅度，结温，运行时间等等
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Q碳化硅电子熔丝在温度和湿度环境下的使用范围是多少？
A环境温度范围是-40C到+85C，可以根据需要改善散热设计提高其带载能力。
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QPower Integrations的超低功耗高效AC/DC电源开关IC在智能家居和智能建筑设备的设计中有哪些独特特点？
A集成度高，电路简单，可靠性好
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Q在使用Power Integrations的超低功耗高效AC/DC电源开关IC时，如何确保产品的耐用性和可靠性？
A设计留出足够的裕量，选择可靠性的元器件，例如我们的芯片绝对可靠。官网：https://www.powerint.cn
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Q外围电路元件是否可以大大减掉？
API的芯片高度集成，无需太多外围元件。
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Q伺服电机有不同的驱动方式，使用碳化硅都能取得明显的节能效益吗？
A驱动器控制碳化硅开关控制电机。碳化硅自身性能优势可以提升性能。谢谢。
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Q碳化硅驱动器开发方面有没有开发包，开发板之类的资源？这些资源能从哪里获取？
A从我们官网www.wolfspeed.com，或者寻找我们代理商RFPD。谢谢。
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Q贵司目前在大陆有仓库吗?供货的货期怎样?
A可以寻找我们代理商RFPD。谢谢。
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Q构建私密独立网络是那些思路？
A构建私密独立网络可以考虑使用伍尔特的私有协议模块，通过伍尔特的WE-ProWare操作系统，客户能够通过易用的AT command命令实现私有协议部分的快速开发，具体请进一步联系eiSos-China@we-online.com。
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Q伍尔特的MEMS传感器，可以理解为集中器吗
A伍尔特的MEMS传感器内部集成了MEMS传感单元、信号放大及ADC等信号处理单元，可输出数字或模拟信号，能够非常方便实现与其他器件的集成。
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Q请问为什么会采用这样的封装，是那些方面的考虑
A采用MEMS工艺的传感器在体积、功耗以及与其他器件的集成度上更具优势，能够更加适用于IoT的应用场景。
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Q步进电机精准驱动的难度难点在哪？
A步进电机精准驱动的难度难点 1，精确感应步进电机的位置 2，快速响应控制
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Q4. 针对步进电机的散热性，都有哪些可直接用来设计的应用解决方案可供参考
A本次研讨会，对于减少驱动IC的散热量，以及散热的方法途径进行了探讨，实际设计中，需要根据应用的具体要求，条件选择合适的方法并测试验证。
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Q电机的驱动信号需要进行特需处理吗？比如防干扰
A电机的驱动控制信号， 的确容易受到功率驱动部分的干扰， 在工控应用中， 大量采用光耦来隔离驱动和控制。
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QCOMSOL 多物理场仿真软件对电脑硬件有哪些要求？
A您可以访问此页面查看系统要求：http://cn.comsol.com/system-requirements
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Q4. COMSOL 多物理场仿真软件有无供个人使用的免费评估版
A您可以进入此页面申请试用：http://cn.comsol.com/request-a-demo
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QCOMSOL多物理场仿真软件是按模块购买license吗？
A是的。
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QE-Fuse的体积有多大？
AE- fuse 是一个方案，可以根据客户需求选择对应的封装。，通常可以做到比继电器体积小
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Q请问一般选用时会留多大的余量
A回答：我们标识的通流能力是在DEMO板定义的环境温度:-40C~+85C，和散热片当前设计下自然冷却下可以长期工作的电流值。实际应用中要考虑您应用中环境温度、撒热条件，是否存在负载周期问题。得到这些参数后参照器件本身的功率循环和热循环寿命进行选型。
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Q保险丝一般情况下与温升的关联怎么考量
A回答： E-FUSE核心的保护理念是: MOSFET的工作结温不会超过其结温允许的最高值。结温能够到达的水平同环境温度、散热设计、负载水平都有关系。在没有触发过载和故障电流水平之前，由环境温度和散热设计以及目前的负载电流产生的功耗会得到结温与这些参数的关系。E-FUSE是按照这个关系得到TCC里面第一条过载保护曲线的。简单的说，散热条件越好则E-FUSE能够过载的时间就越长。如果您想了解详细内容，请参考我们的官网链接。
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Q如何优化步进电机驱动IC的工作效率并降低功耗？
A采用导通电阻小的功率驱动管；采用ACDS电机电流采用技术, 取消电流采样电阻降低电流采样的功耗, 但是有限； 采用AGC主动增益控制能够提高驱动效率。
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Q步进电机的抖动问题什么引起的？
A步进电机的抖动， 就控制电路来讲， 主要是有驱动电流的畸变引起的
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Q如何评估步进电机驱动IC的性能和稳定性？
A步进电机驱动IC的性能和稳定性， 需要在一个设定的条件下来监测。通常来讲， 在同一工况下， 驱动IC的余量越大， IC的性能和稳定性会更高。
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Q对于一个具体的运算放大器放大电路，如何评估输出端的电压噪声大小？
A根据选取的电阻大小以及电流噪声，电压噪声，放大倍数等进行噪声的计算和叠加，得到初步结果后进行仿真验证。ppt上有计算的方法
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Q使用低噪运放IC，设计电路PCB和选择器件时有什么需要注意的？
APCB设计建议您再最开始就参考ADI书册种的Layout章节 避免后续改板
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Q热噪声和环境温度有关系吗?是不是环境温度越高，噪声越大?
A理论上是这样的 温度越高 噪声越大
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Q请问，步进电机和伺服电机有区别吗？
A它们在控制精度，低频特性，矩频特性，过载能力，控制装置，速度响应和效率上有可能不同。请参阅电机相关资料。
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Q直流无刷电机有哪些自带保护设计?
A东芝直流无刷电机驱动IC (MCD) 通常配置了多种保护措施，如 过流，限流，过温，欠压，堵转等以保证电机平稳安全的运行。 但是需要根据具体的IC 看是否有上述保护功能。 不同的IC是根据不同的使用要求来完成保护机制的设计的。
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Q4.东芝步进电机驱动IC有哪些？
A东芝提供采用BiCD工艺制造而成的丰富的步进电机驱动IC产品系列，能提供高精确度和大电流能力。东芝的步进电机驱动IC提供双极和单极结构。 比如TB67S128FTG，最大耐压为50V/5A，高达128微步 的双极性步进电机驱动IC。 TB67S149FTG 采用BiCD 工艺，能在绝对最大额定值 44V的 VM 电压，84 V 的输出电压，3.0 A max 的输出电流以下驱动单机型步进电机。 可以通过东芝官方网站选择您合适的产品。 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/motor-driver-ics/stepping-motor-driver-ics.html
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Q2. MOSFET进入各种自身保护后，如何快速恢复原态
A感谢您的提问，当IC检测到电压电流信号恢复正常阈值内会恢复启动。
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Q低功耗开关电路瞬时响应处理如何？
A谢谢你的问题。如东芝TCK107AG负载开关, 瞬时响应时间在uS级。
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Q东芝的低功耗IC在工作状态下，IC消耗的功率是什么状况？
A感谢您的提问。东芝的小型低损耗负载开关有不同的耗散功率参数，常见的耗散功率在0.8W，具体情况请根据型号访问东芝官网（https://toshiba-semicon-storage.com/parametric?code=param_616）查看其规格书参数。
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Q电气间隙和爬电距离除了影响绝缘效果外，还对哪些有影响？
A电气间隙和爬电距离主要影响绝缘性能，除此之外，还会影响PCB上的电子元器件的布局等
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Q检测爬电的仪器一般用哪些，一般哪些场合需要考虑？
A一般来说爬电距离较少进行实测，也有很多结构不便于量测。但可以通过耐压测试进行更有针对性的验证。
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Q加强两裸露电气之间的绝缘表皮能否有效抑制爬电距离？
A仅仅加强、加厚的作用不大，考虑将裸露的导体做好绝缘比较有效，尽量避免导体裸露。
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QPSA对产品中使用的处理器内核是否有要求，低端的处理器比如M0，或者M3，甚至8位元和16位元的单片机，可否通过PSA认证？
APSA是platform security architecture，我想core应该不会是被限制的主因。如果SOC设计得当，通过PSA认证也是可能的，尤其是L1
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Q4. 物料网安全架构如何识别自身程序BUG还是外部黑客攻击
A现在还主要是防护已知的一些攻击威胁，减少bug被利用。还没有识别
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QNXP在安全架构符合中国的相关标准和认证?
A无论哪里的标准和认证，不会限定安全架构。主要是依据威胁模型，确认安全机制，划分好安全边界。国内主要是密码学算法上会有要求OSSCA
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Q肖特基势垒二极管的成本和普通产品有多大差距?可以替代普通二极管使用吗?
A感谢您的提问。从成本考量，如今大多数小信号系统中二极管的成本都占据比较少的部分，通常不会因为成本来选型。但如果是大功率高频率应用场景，部分肖特基势垒二极管会采用碳化硅的材料来增强产品性能，而导致成本上升。 与传统整流二极管相比，肖特基势垒二极管的正向电压更低，反向恢复时间更短。 因此，肖特基势垒二极管有助于减少开关功耗。 但是，由于肖特基势垒二极管有较大的反向电流，因此需要确保其反向功耗足够低，以满足系统要求。 肖特基势垒二极管的优点多于缺点。如果你能正确地使用肖特基势垒二极管，它们将帮助您提升系统效率。
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Q1.mosfet的指标里面一般都有体二极管的dv/dt和di/dt参数，同样为半导体的普通二极管说明书为啥没有提及？这个不重要吗？ 2.二极管的反向恢复速度跟哪些因数有关？与二极管在正向流过大小有关系吗？比如流过1A和10A的时候突然截止，10A条件反向恢复时间是否更长？
A感谢你的提问。（1）请结合具体产品型号通过代理商和我们进一步确认。（2）理想情况下，肖特基势垒二极管的trr应该为零，但因为总有电容所以实际不能为零。根据产品的不同，有些产品有几个ns。
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Q目前一般厂商肖特基都做不了超过200V的肖特基，印象中好像是反向漏电流问题还是啥？为啥东芝能做到1200V
A感谢你的提问。东芝目前针对高压的肖特基二极管主要是SiC肖特基二极管，而不是Si 肖特基二极管。
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Q高温下，长时间的负栅极偏置，是否会导致SiC MOSFET的回滞特性变化？
A东芝的SiC MOFET 栅极有氮化工艺。 实测168小时高温栅极DC负偏，Vth变化小于10%。 实测1000小时500kHz高温栅极脉冲，Vth变化小于5%。 Vth回滞特性也是很不明显的。
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Q脱碳是必须的吗？
A大趋势，为了全人类！
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QSiC MOSFET的开关内阻是确定的吗
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 内阻和栅极驱动电压有关，要注意的是驱动电压不够时比推荐值的内阻稍大。
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Q汽车电机驱动领域，传感器主流是用璇变还是编码器还是霍尔？
ABLDC电机主要采用霍尔传感器，具体需要根据应用不同选择。
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Q车载电机的控制支持车载以太网吗？
A我们支持 LIN， SPI接口，可以通过带以太网功能的MCU控制。
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Qtb9053和tb9054可以用于驱动多大功率的无刷直流电机？
ATB9053 和 TB9054 不能驱动 无刷直流电机，它们可以驱动有刷直流电机。
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QEMMC固件损坏或丢失，只能回原厂处理吗？
A如果eMMC 自身固件损毁，该芯片也就无法再支持任何协议。 目前只有返回原厂确认故障原因以及分析。
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Q闪存过程中是否会影响工作速率？
A影响eMMC 工作效率的因素主要是，读写时候的chunk size， 读写地址是否sequential， eMMC 内部是否有大量垃圾或者离散的碎片数据
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Q美光eMMC动态均衡的触发机制是什么？周期是多久？
A动态均衡，一般是在数据写入的时候发生。
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QSiC解决方案的电压适应范围可以做到多大？
A电压适应范围非常宽 具体联系Microchip和相关合作伙伴
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QMicrochip的SiC MOSFET的栅极是否是严格意义上的零偏置？
A具体联系Microchip和相关合作伙伴
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QSiC解决方案目前能达到的最大电源效率是多少？
ASiC解决方案可以达到几乎完美的效率 具体联系Microchip和相关合作伙伴
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QASDAK+ Development Kits如何与与不同SiC MOSFET电源模块搭配使用呢？
A具体联系Microchip和相关合作伙伴
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Q硅和碳化硅MOSFET的RDS(on)，是否受器件的电压等级的影响？
A是的
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QEMC 能达到几级？
A具体联系Microchip和相关合作伙伴
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Q东芝的ARM Cortex-M3/M4的防静电等级可以到多少？
AMCU HBM ESD 等级为 +/- 2000V
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Q无刷直流电机上的位置传感器能捕获哪些信号？
A通过霍尔元件/IC，捕获位置，转速信息。
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Q频繁正反转的应用有哪些参考设计？
A相关参考设计请见东芝官网：https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/design-development/referencedesign.html
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