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Q转换速率控制电路主要有哪些功能设计，目的是什么？
A感谢您的提问，转换速率控制电路对开关节点上升和下降的控制,同时无需使用缓冲电路,降低了电路的复杂性和成本。挑选出转换速率控制电阻器的正确值,不仅可以降低电磁辐射,还能同时提高系统的效率。
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Q东芝MOSFET栅极驱动IC是否具备车规级应用？
A谢谢你的问题，目前没有车规级的。
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QSiC材料的MOSFET，实际使用中会遇到过冲或者下冲的问题，这一般是什么原因造成的？如何应对？
A感谢你的提问。今天主要介绍的是东芝MOSFET栅极驱动IC的产品。SiC MOSFET实际使用中的问题，和MOSFET的Cgd, Rg相关。具体请和SiC MOSFET相关工程师进一步沟通。
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Q小型低损耗负载开关电路的前景？
A感谢你的提问。封装小型化的负载开关简化了电路设计，在穿戴式等应用场景中还是有很大的发展空间的。
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Q涉及到内部功能的外部电路有哪些元件是无法集成？
A谢谢你的问题。如果大电流功耗电路，因考虑散热问题, 则不会集成到小封装中。
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Q影响驱动效率主要有那些因素？
A感谢你的提问。影响驱动效率主要和栅极驱动IC的输出电压有关。另外，驱动IC的静态电流也是比较重要的参数。
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Q是否也能串并联运用？
A感谢你的提问。针对东芝MOSFET栅极驱动IC而言，我们一般不推荐串并联使用。
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Q电源多路复用电路中BBM和MBB在功能上有什么不同？
A谢谢你的问题，BBM是先断后合，适用于在供电电压切换期间需要防止反向电流的应用，例如充电电路；MBB是先合后断，适用于需要避免供电电压中断的应用，例如音频电路。
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Q东芝MOSFET栅极驱动IC如何降低EMI影响？
A感谢您的提问。采用最新一代U-MOSIX-H制造工艺，具有低尖峰电压特性，在降低电源EMI方面极具优势。
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Q负载开关的反向电流阻断有哪些作用？节省一个二极管吗
A谢谢你的问题。 如果负载开关应用发生Vout>Vin电压，则产生电流反向流动. 不是节省一个二极管, 是二极管没有开关功能。
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Q负载IC支持低静态电流，是指哪些设计做到的？
A感谢你的提问。降低负载开关的静态电流，涉及到IC 研发时器件内部电路的具体设计要求。目前我们最新的负载开关产品TCK127BG的静态电流可以做到0.08nA水平。
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Q东芝的负载开关是否有车规级的产品？如有，是哪些系列或者型号？
A感谢您的提问。目前东芝的负载开关器件均属于工规级的产品，暂未推出车规级的产品。
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Q东芝的负载开关目前供货情况如何？交货周期大概多少周？
A感谢你的提问。东芝目前的交货情况还是相对稳定的，具体交货时间取决于具体的产品型号（封装），一般的交期在20周水平。
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Q负载开关的过流限制是多少安？
A谢谢你的问题，不同产品规格不同，请咨询具体产品名
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Q东芝的负载开关电流消耗最低可达到多少？
A感谢你的提问。请参考TCK127BG东芝官网上的规格书，这个器件的静态电流可以降低到0.08nA水平。
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Q热关断是每种负载开关都有吗
A感谢您的提问。东芝的负载开关不是所有的型号都带有热关断特性，详细器件的参数筛选请借助官网（https://toshiba-semicon-storage.com/parametric?code=param_616）了解，谢谢。
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Q东芝的负载开关支持过温保护吗？
A感谢您的提问。东芝的部分负载开关器件带有热关断特性，当内部温度检测电路检测到指定温度时，过热保护电路将进行工作以控制输出晶体管的开／关。我们的负载开关IC的热关断功能旨在当温度超过每个产品所指定的热关断操作检测温度时，关闭负载开关内的MOSFET，从而降低输出电压VOUT并限制输出电流IOUT。此功能可防止设备因过热而损坏。当温度下降到返回迟滞温度之后，器件会重新打开。详细器件的参数筛选请借助官网（https://toshiba-semicon-storage.com/parametric?code=param_616）了解，谢谢。
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Q负载开关的热关断是多少温度范围呢
A谢谢你的问题，不同产品可以有差异，我们TCK22xxxG, TCK2065G, TCK1024G系列是，当Tj>170°时，负载开关关闭，当Tj
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Q过流过压会影响负载开关寿命吗
A谢谢你的问题。 过流过压功能在设计规范内, 不会影响负载开关寿命.
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Q东芝管市场表现？
A感谢你的提问。具体看哪一类产品。东芝小信号器件在全球知名的穿戴式设备客户的应用中，有一定的份额。封装小型化也是业界领先的。
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