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Q电子开关的导通电阻在什么范围？开关频率能否选择？
A谢谢你的问题, MOSFET栅极驱动IC, 导通电阻取决于外部MOS，一般情况下，可以选择小于10m欧姆的导通电阻MOS
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Q这么小的器件，在设计时，需要注意哪些事项?
A感谢你的提问。在设计时，需要留一定的裕量，以保证器件的发热在允许的范围内。
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Q东芝产品目前在大陆有生产工厂吗?
A感谢您的提问，东芝的生产工厂在日本和泰国。
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Q东芝半导体产品是厂家直接销售还是代理商销售?
A感谢您的提问，一般情况下由代理商销售。
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Q贵司的小型器件，需要单独设计外围的保护电路吗
A谢谢你的问题。东芝负载开关具有保护功能，如过压锁定、反向电流阻断功能, 不需单独设计保护电路。
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QMOS 的米勒平台如何解决的？
A感谢您的提问，MOS的米勒平台对应措施一般有减小输入信号上升沿和下降沿的斜率，使其变缓；加入补偿电路；使用带有负反馈的信号放大器以及优化布局和布线来考虑，感谢！
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Q栅极驱动电压是不是用负压最好？包括传统的金属氧化物MOSFET和现如今的SiC MOSFET。
A感谢你的提问。普通Si MOSFET 一般0V就能可靠保证关断。SiC MOSFET 各个产家之间的负压承受能力不尽相同，一般有客户考虑-3V左右的电压来关断SiC MOSFET。
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QMOSFET的栅极驱动电压如果超出推荐值，会出现什么情况？比如低于或者高出。
A感谢你的提问。MOSFET的栅极驱动电压（低于或者高于标准值）会影响MOSFET的Ron的表现。
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Q低损耗体现在哪里？驱动损耗？还是开关损耗？
A感谢您的提问，东芝负载开关IC具有体积小、低电压工作、低导通电阻和低静态电流等特点。
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QMOS 的结电容有什么影响？
A谢谢你的问题。一般来说负载开关响应时间为ms级, 相对较少考虑小MOS结电容值。
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Q低功耗开关电路瞬时响应处理如何？
A谢谢你的问题。如东芝TCK107AG负载开关, 瞬时响应时间在uS级。
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Q开关电源效率越高发热是否越低？
A谢谢你的问题。效率越高, 发热是越低。
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Q是否有评估板支持测评？
A谢谢你的问题，请在官网联系我们的销售。https://toshiba-semicon-storage.com/parametric?region=apc&lang=zh_cn&code=param_616&p=50&i=1&sort=0,asc&cc=0d,1d,39d,31h,3d,22d,23d,24d,30d,25d,5d,6d,7d,40d,41d,26d,42d,8d,9d,10d,11d,12d,13d,14d,27d,28d,15d,17d,29d,32h,33h,34h,35h,36h,37h,38h
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Q多负载电源怎么选？
A感谢您的提问，需要根据客户的电路要求来选择BBM 还是MBB两种方式来切换不同的负载电源。
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Q过压欠压保护在什么情况下会失效？
A感谢您的提问，当超过产品的最大电压电流时候，因为不能正常工作而导致过压欠压保护失效。
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Q直接用于电机驱动场合，在输出端是否需要额外追加保护IC的措施？
A感谢你的提问。东芝的MOSFET栅极驱动IC本身只是提供MOSFET驱动电压，请结合具体的产品设计来考虑是否需要追加其他额外的保护IC。（防静电，防浪涌等）
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QMOSFET栅极驱动IC的输出电容对电路有何影响？
A谢谢你的问题，当负载开关IC关闭时，自动放电功能通过连接在VOUT与GND引脚之间的内部N沟道MOSFET对滤波电容器快速放电，以利于供电时序。
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Q负载开关可以并联加大电流吗
A感谢你的提问。原则上，东芝并不推荐客户并联负载开关使用从而提高电流。因为两个负载开关的MOSFET性能会有差异，Ron的差异会导致电流的不均衡。
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Q热关断的实现方式有哪些？
A感谢您的提问，热关断的实现由IC精确的将温度转为电压电流值。热关断即立刻将电压电流的值将为０.
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Q东芝负载开关IC的售价多少？
A感谢你的提问。具体的报价请通过东芝代理商或者其他销售窗口确认，精确的报价和具体型号以及用量相关。一般东芝的负载开关IC在USD0.05~0.20 价格区间内。