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Q贵公司小型低损耗负载开关市场表现如何？
A谢谢你的问题。负载开关用于各种电子设备中, 如无线耳机, 笔记本电脑, 物联网传感器 等等
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Q请问：贵司的负载开关负载开关 RDSon能做到多少？
A感谢你的提问。目前东芝负载开关产品线主要产品的Iout在1-3A范围，Ron最低的产品能做到8.3mohm (TCK111G)
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Q过压欠压保护的启动在什么工作状态
A感谢您的提问，当IC检测到输入的电压高于或低于阈值时，便启动过压欠压保护。
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Q在多管并联使用的情况下怎么让多管更均流的使用
A感谢你的问题。一般来说，我们不推荐多管并联的应用，因为会涉及到MOSFET Vth, Ron等参数的一致性问题。
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Q“反向电流阻断”是不是意味着不用担心正负极接反？
A谢谢你的问题。不是正负极接反, 是因电压差导致电流反向流动。
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Q关闭的MOSFET还有漏电流和漏电压吗
A感谢你的提问。当负载开关驱动IC关断的时候，外接的2个MOSFET的体二极管可以起到电流反向截止的功能。
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Q小型低损耗负载开关电路有短路保护吗？
A感谢您的提问，当VOUT一侧的负载与GND之间短路或发生其他系统故障时，此功能限制LDO稳压器输出电流，以保护其自身及使用稳压器的系统。
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Q低损耗的情况下是不是说明可以支持更高的开关频率
A感谢您的提问，设计时的开关损耗也应该要考虑进去，开关损耗（反向恢复损耗）会很大。如果开关频率低，它可以忽略，但是当开关频率增加到若干kHz时，它就成为了一个重要的损耗因素。
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Q什么是MOSFET栅极驱动IC的驱动电流和驱动电压？
A谢谢你的问题。驱动电压Vgs10V & 5.6V, 输入电压 5- 至 24-V。建议适用于Vds:
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Q热关断信号的判断来源是在于检测MOSFET 的VCE饱和电压吗
A感谢您的提问，热关断信号的判断来源是IC的结温温度。
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Q使用负载开关需要反并接二极管吗？
A感谢你的提问。具体要看你选择的负载开关是否带反向截止功能（RCB），如果不带这个功能，而你设计的电路需要考虑反向电流截止，那就需要额外增加一个反并二极管。
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Q小型低损耗负载开关电路最大承受电流电压是多少？
A谢谢你的问题，支持最大的输入工作电压电流是36V、2A
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Q请问如果要用两管并联，如何并是比较理想的
A感谢你的提问。一般我们不推荐MOSFET并管使用。如果需要这样设计的话，需要考虑MOSFET之间Vth，Ron的差异不能太大。
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Q小型低损耗负载开关 RDSon多少毫欧？
A谢谢你的问题，RDson的值和输入电压的值相关，我们TCK1024G Rdson=31毫欧@vin=5V.
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Q驱动IC可以支持多少kHz的开关频率了，输入与输出是同频的吗
A感谢你的提问。请结合TCK40xG，TCK42xG规格书上的延时时间，输出信号会比输入信号有一定的延时。
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Q可以支持驱动并联的MOSFET管吗，这种并联的怎么考虑使用
A感谢您的提问，一般是驱动串联的背对背的MOSFET管．
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Q负载开关有自恢复的吗？
A感谢你的提问。东芝有efuse IC，其中有一些是自恢复类型的，具体请参考TCKE812NA规格书。但是这次webniar主要是负载开关驱动IC的介绍。
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Q请问贵司的在同等封装电流下，会有那些管子上的优势
A感谢你的提问。相同封装情况下，东芝的负载开关类产品的主要优势在于低Ron，低静态电流，含多种保护功能等。
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Q负载开关IC 轻载、重载效率分别是多少
A谢谢你的问题。负载开关IC支持1A至3A负载电流取决于型号。
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QP沟道的好还是N沟道的好呢？各有什么优势？
A感谢你的提问，这个问题太宽泛了，选用Pch或者Nch的MOSFET要看具体应用。但是对于MOSFET厂家而言，可能Nch的MOSFET的产品线更丰富，选择余地更大。