-
Q安森美的大功率器件参数的一致性如何，是否可以随便适用于并联应用？
A可以用于并联应用
-
Q单个能达到要求的话，还用考虑并联吗，并联是否比单个使用更好
A单个能达到要求的话，就不建议考虑并联
-
Q如何解决电容耦合和电磁干扰问题？
A减少发散环路
-
Q并联运用时该如何筛选配对？有哪几项关键的参数性能？
A导通压降和门限电压
-
Q现场应用出现不均流情况，有什么经验解决？
A检查器件特性，PCB layout
-
Q功率半导体选型的时候均流要求，选型需要注意那些项？
A导通压降，门限电压
-
Q栅极振荡导致功率管重复开通，影响系统问题，在保证开关速度的情况下如何做到平衡？
A减少器件外围的杂散电感
-
Q门级驱动电路对寄生电容的解决有哪些方法？
A寄生电容如果是PCB布线或者布局引入的，需要从PCB去优化，MOS 或者IGBT的结电容可以选择不同的器件参数
-
Q高频开关导致的串扰问题是每一种拓扑就会产生的吗？和控制方式有关吗
A高频开关导致的串扰问题，可以从PCB布局、布线，外加RLC等进行抑制，硬开关和软开关导致的串扰也差异较大
-
Q并联使用时摆放位置有没有特殊要求
A有要求，最好对称摆放
-
Q IGBT/SiC MOSFET器件并联会加大温度上升速率吗
A温度上升是发热和散热设计方面的问题，跟是否并联关系不大
-
Q IGBT/SiC MOSFET器件并联使用会更快地减少使用寿命吗
A不会
-
Q安森美会抢占大电流、大封装市场吗？
A安森美现在有电流大封装的IGBT产品
-
Q如果出现不均流的情况下，另外承受最大电流的管子能超出额定多少不会炸管？
A有可能
-
Q一般规格书标的耐压额定，在使用的时候可以超出多少使用,比较安全？
A常识是不是超规格书，给规格书标注的参数留足余量
-
Q并联使用时，电流不平衡达到多少会判定为不平衡？
A看裕量，每个公司都不一样，有些是不接受10%以上不平衡
-
Q并联使用，除了会引起电流不平衡外还会有其它什么问题？
A温度不平衡导致温度高的器件先损坏
-
Q导通和开通这两个状态那种更容易出现电流不均衡？
A都容易出现不均流
-
Q如果出现导通不均衡，开通不均衡是否必然出现？
A不一定
-
Q功率器件并联时如果电路布局设计没法保证对称，能不能在其他方面补偿？
A从器件参数差异，驱动电路优化