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Q 对于已经出现的均流问题，有哪些快速有效的调试和修复方法？
A如果已经出现均流问题，并且不能改硬件，那就按电流最大的器件来考虑散热问题，如果散热过不了，那要考虑降功率使用了，或者换同封装更大电流的产品
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Q并联设计中，如何保证各个器件的开关速度一致？
A器件特性一致，PCB layout 对称
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Q并联设计的均流分配会因为外围设计分配不均吗？
A会的
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Q如何确定并联良好性的关键参数，确保并联SiC MOSFET的器件和电路相匹配？
A由于SIC MOS 开关很快，不建议SIC MOS 并联较多单体，如果需要大电流的应用，请选择安森美的SIC MOS 模块，系统成本和性价比最好
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Q不平衡并联应用后果有哪些？
A过电流大的先消失，降低产品寿命
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QMOSFET的栅极电压越高导通电阻越小，在常用的3.3v系统中不再引入更高电压如何降低导通电阻？
A外加驱动IC，提升驱动能力
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Q温度系数不同的话，是不是就不能做并联匹配？
A是的，最好选正温度系数的功率器件
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Q如何避免功率器件在短路工况下被击穿损坏的风险？
A有短路能力的功率器件一般会说明能承受的短路时间，在发生短路时，只要在规定的时间内关断器件就不会有损坏的风险
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QSIC的散热要求如何？壳温多少温度是合适的
A功率器件需要从结温来评估可靠性，不建议用壳温来衡量。
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Q请问：大功率 IGBT/SiC MOS并联时对PCB布局布线有哪些要求？
APCB布局和走线需要有对称性、也就是尽量一致
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Q并联时要做参数匹配处理吗？
A一般是要的，如果留的裕量充足，也可以不考虑
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Q在进行并联设计时，如何考虑系统的可扩展性和可维护性？
A电源模块并联，而不是器件并联
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Q并联时驱动端是否需要特殊处理，增强驱动能力？
A要计算最大驱动电流和驱动功率，如果都不够的话，要增强驱动能力
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QVcesat如何测得其中的最大值？
A一般规格书中都标明了Vcesat的最小值和最大值
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Q 在高可靠性要求的应用中，如何设计冗余并联系统？
A降低额定功率，提高峰值功率及其对应时间
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Q结温越高，并联部件的共享电流越小吗？
A如果器件是正温度特性，就是这样的
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Q如何选择栅极Rg值和拓扑？
ARg需要从电应力、温度、EMC等综合来折中，从建议从单个性能参数来选择Rg
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Q功率器件并联设计除了获得更大电流外还有哪些好处？
A平均散热
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Q IGBT和SiC MOSFET器件的并联设计思路是一样的吗？
A一样
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Q在碳化硅mosfet中在SOT23小封装元件且不加散热片的情况下最大功率能做到多少？
A由最大允许的工作温度决定的，Tj=Ta+P*Rthja