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Q并联如果一路损坏，怎么能保证另外一路还能正常工作？
A如果一路损坏，电流会全部从另一路走，除非选的器件裕量大，或者检测到损坏之后关断另一路，否则另一路也会损坏
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Q请问在栅极波形上，也就是波形的正部或者前后会有一点尖峰干扰，这个是那引起的
A驱动环路杂散电感
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Q并联的电流layout走线需要考虑等长设计吗？
A速度越快，越需要考虑
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Q请问IGBT能承受多大的热量不会击穿
A需要用瞬态热阻和结温去评估
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Q大功率 IGBT可以替代晶闸管吗
A可以
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Q并联器件的导通、关断时间如果有差异，如何同步，避免损坏器件？
A进行器件筛选，检查PCB布局
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Q混合链接，参数如何计算的？
A粗略计算可以导通用IGBT，开关用MOSFET
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Q在布局上，应优先考虑的是那个电极的电流回路
A主回路的通流能力是否满足
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Q安森美有现成的集成多路并联的大功率产品可供选型吗？
A有的，可以联系当地技术迟迟
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Q不同批次的MOS一致性怎样？可以并联使用吗？在并联设计中，如何有效利用热设计来提高系统稳定性？
A如果测试Vgs(th), Rds(on)相差很小，可以并联使用
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Q在高开关频率下，并联设计会遇到哪些特殊挑战？
A开通关断时的均流问题
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Q请问LLC拓扑与LCC那个更佳
ALLC更成熟，并且并联电感可以借用变压器漏感
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Q 在实际应用中，如何实施有效的热管理措施来降低并联器件的温度？
A将发热大的器件放到进风口处
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Q怎么消除开关瞬间的大浪涌电流对器件的冲击？
A减低开关速度或者增加吸收
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Q大功率 IGBT/SiC MOSFET并联设计时，对并联的数量有没有要求与限制？
A最好不要超过4片
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Q在并联设计过程中，如何有效地进行故障检测和隔离？
A每个器件单独驱动，驱动采用带有检测功能的
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Q在大功率应用中，并联设计与其他技术（如串联设计）相比有何优劣？
A将本增加
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Q在并联排布时间距在多少比较合适
A满足安规和安装的前提下，越近越好
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Q安森美有计划做大电流、大封装功率半导体的计划么？
A有的
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Q买到不同批次的贵司 半导体使用时候需要注意些什么？
A如果要并联尽量选同批次，如果不用并联都可以用