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Q如何降低功率器件的传导损耗？
A提高驱动电压，降低工作温度
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Q并联数量最多是多少个？
A看应用，一般是2个，3个，4个并联比较多，也看到一些应用上并联数量更多
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Q并联器件必须要对称布局吗？
A为了更好的均流效果，最好是对称布局
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Q不同厂家的大功率器件是否可以并联使用？
A一般不同厂家的功率器件参数有差异，不推荐并联使用，并且也没看到这样的设计
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Q大功率 IGBT/SiC MOSFET器件使用环境，可以在潮湿高温的状态下使用吗，是否会影响其性能
A可以的，所以安森美的产品都会经过可靠性测试，包括高温，高湿，高压的条件
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Q并联的G极控制怎么接
A选择合适的驱动电路，公用电阻加单独电阻的组合
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Q1. IGBT目前是否有小体积封装的可以供货
A是的，有贴片可以供货
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Q不同批次的MOS一致性怎样？可以并联使用吗？
A可以并联使用，看并联的数量，要关注Vth和Vcesat/Vds
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Q大功率 IGBT/SiC MOS并联可布局布线有哪些要求？
A从布局考虑，主要考虑并联器件的布局对称性，对称设计
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Q筛选配对须特别重视哪些参数项目？
A主要是关注Vcesat/Rdson和Vth
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Q并联运用常见的失效模式主要有哪些
A过流，过温等
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Q怎么解决并联时电流的平衡问题？
A主要从三方面考虑，1是器件参数一致性，2是并联器件的对称布局，3是考虑合适的驱动电路
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Q大功率 IGBT/SiC MOSFET器件并联时需要注意进行防干扰处理吗
A需要
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Q器件参数一致性，指的是哪些参数
A一般指Vcesat,Vth和功率器件的寄生电容
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Q并联的RDs电阻会减小吗
A流过小电流的功率器件的Rdson会小一点
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Q如何通过改进散热设计来提高并联系统的热稳定性？
A降低器件结温可以提供并联系统的热稳定性
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Q贵司产品目前在中国有生产工厂吗?
A有
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Q碳化硅MOSFET的寄生参数会影响EMI信号吗？
A会的
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Q如何消除或是减弱开关时电流的不平衡？
A选择合适的驱动电路，Vth差异小，布局对称的方案都可以降低动态不均流
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Q如何解决多负载不均衡的问题？谢谢！
A最好采用模块来代替分离器件的并联。模块内部并联的器件参数基本一致，并联均流性能很好
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