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Q开关时电流不平衡会导致什么问题？
A损耗不一样，会导致温度不一样，也对可靠性有一定影响
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Q安森美的SiC，目前都是平面栅技术吗？
A是的，SIC MOS目前是平面栅极
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Q请问该方案可适用于电车充电桩应用？
A适合
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Q哪些因素会导致器件损坏，设计时需要主要哪些因素?
A一般损坏因素有过压，过流，过热，dv/dt和di/dt太高，再就是机械应力导致损坏，静电导致损坏等
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Q并联后的性能都有提高多少？
A并联主要是为了提高功率
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Q并联提高功率时，有没有比以往的器件有优势，有些什么新的注意点？
A考虑器件的一致性，驱动电路优化，对称布局
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Q5. 将来是否会有针对目前并联多颗方案的单颗IGBT面世计划
A目前的IGBT也适合并联应用
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Q灌电流会同时影响两个并联的器件不
A会的。
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Q每路碳化硅功率器件可并联几个？
A看应用，一般2个常见，3个，4个以及更多并联数量的也有
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Q如何获取产品资料？
A上安森美官网可以查到产品资料
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Q并联设计是否降低内阻，降低传导损耗
A是的，降低了导通损耗
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Q大功率IGBT的最高工作电压可以到多少？
A目前IGBT的最大耐压是6500V，根据不同拓扑，交流输出电压到3300V以上
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Q如何评估并联设计在瞬态过程中的性能表现？
A测量并联器件在瞬态的参数波形来评估
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Q大功率 IGBT/SiC MOSFET器件并联设计是否已用于市面上产品上？
A是的
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Q在并联设计中，是否需要考虑器件的封装和连接方式对性能的影响？
A是的，要考虑
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Q有哪些布局和布线技巧可以提高并联设计的均流效果？
A叠层减少杂散电感
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QIGBT在大功率下如何减小发热，有什么推荐散热方案？
A合适的驱动参数，合适的布局以及软件算法都可以减小损耗，减小发热
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Q器件的热阻和结温对并联设计有何影响？
A并联器件结温不一样会影响均流，电流不均也会导致结温差异
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Q大功率IGBT的导通内阻由什么决定的？
A和温度，流过的电流，驱动电压有关
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Q怎样保证MOS一致性？
A这个是生产厂家通过设计和生产来保证一致性
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