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大功率 IGBT/SiC MOSFET并联设计技巧和指南 2024-04-18 10:00:00
  • Q达到同样的性能,功率器件并联好还是使用单个器件好?

    A单颗可靠性高,并联成本效率优

  • Q目前元件厂家在功率器件并联设计方面有推荐电路吗?

    A有的,驱动电路推荐组合电阻方案

  • Q大功率有哪些布局?具体参数是什么?有固定吗?

    A尽量将直流母线铜皮叠层

  • QMOSFET并联时,能否在源极电路中串小电感让起到均流电抗器的作用?

    A如果阻抗不匹配,可以外加这些RLC 来补偿,

  • Q在元件允许范围内,持续高温工作对元件寿命有多大影响?

    A指数级衰减

  • QMOS管并联能共用G极电阻吗?

    A可以,但是建议共用和分开都使用

  • QMOSFET器件并联设计时,当其中一个损坏时,是否需要在程序上加保护措施,避免并联的其他器件因为过载发生损坏?还是并联时都加上余量,避免过载?

    A器件并联失效,是开路和短路2种失效模式,这2种失效模式,程序上都是比较难加保护措施

  • Q并联运用常见的失效模式主要有哪些

    A动态关断不均流导致超过RBSOA失效

  • Q平衡杂散L设计是需要外围设计?

    A是,注意走线,必要时额外加磁珠或共模电感

  • Q有哪些方法减小振荡?

    A降低杂散电感,降低功率器件开通,关断速度

  • Q寄生电感怎么测量?

    AdeltaV=Ldi/dt,量出li/dt和deltaV可以算出寄生电感

  • Q不同批次的MOS一致性怎样?可以并联使用吗?

    A一般推荐用同一批次的MOS并联

  • Q能否选用Ron、Ciss等相关参数比较接近不同厂商的SiC MOSFET去进行并联呢?

    A并联时,最好使用同一个厂家同一批次的产品

  • Q对于高压工作场合,并联器件的摆放位置上有没有特殊要求?

    A满足安规要求

  • Q在并联设计中,如何有效利用热设计来提高系统稳定性?

    A将发热大的器件尽量放到进风口

  • Q功率耗散不均衡对并联系统稳定性有何影响?

    A缩短器件寿命

  • Q并联使用需要特意去做均流设计吗?

    A电流越大,开关频率越快就越需要

  • QMOS并联那种并联方法是正确的,让两管更贴合

    A交错并联

  • Q对于哪些应用场景,并联设计是提升电流能力的首选方案?

    A降本增效

  • Q并联器件的散热是否可以使用同一个散热片?

    A可以