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Q降低开关损耗在实际应用中有哪些好处
A降低开关损耗可以提高产品效率，另外SiC工作在高频的时候，有助于无源元件的小型化。
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Q那些应用情况下，会导通，会短路
A这个取决于你的电路拓扑。
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Q第三代SiC MOSFET的主要应用场景？
ASiC MOSFET的主要应用场景，就是原来IGBT的使用场合。
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Q东芝第三代SiC MOSFET的寿命如何？
ASiC MOSFET的寿命，除了应用方面的影响外，本身主要是Gate栅极氧化层的寿命。 根据东芝内部的加速老化试验结构，第三代SiC MOSFET的栅氧层的寿命是10M years，1PPM。
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QSiC MOSFET对于碳减排的促进有哪些方面？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 相比传统Si MOSFET，相同的功率条件下SiC MOSFET具有更高的效率和更低的损耗，有助于节约能源，减少碳排放。
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Q东芝第三代SiC MOSFET的开关速度可以到多少？
ASIC MOSFET 开关速度可以在50kHz ⾄ 150kHz
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QSiC MOSFET的导通电阻可以多低？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 目前东芝第三代SiC MOSFET最低可以做到15mΩ（典型）。
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Q无源元件的小型化主要指哪些？
A使用SiC MOSFET可以提高开关频率，这样电感器件，变压器和电容的尺寸可以相应减小。
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Q东芝第三代SiCMOSFET有无应用局限？
A请详细描述一下你的问题。
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Q东芝第三代SiCMOSFET是否能有哪些创新的特异应用？
A东芝SIC MOS是内置SBD组合，因此对MOS有反向续流动作的应用具体很大的优势。
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QSiC MOSFET对比常规MOSFET有哪些优势？
A支持更高的工作频率，实现减少无源器件体积实现小型化。 减少冷却系统的功率损失・高输出功率， 更优的散热 支持更高的工作电压范围
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