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QSiC的散热性能怎么样？需要外加散热片么？
ASiC的散热比Si的好，SiC功率器件在应用中建议加散热片
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Q两个不同的SIC MOSFET 并联使用的情况下，怎么有效减少分流不均匀的情况了
A不推荐两个不同的SIC MOSFET 并联使用 影响MOS并联均流的内部参数主要：Vth, RDS(on), Ciss... 所以尽量选取同型号、同批次并且内部参数分散性较小的MOSFET加以并联
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Q东芝有没有相关的网站地址供我们进行在线仿真温升与发热量等数据
A东芝官网提供PSpice 和 LTSpice Model, 客户可以下载该模型进行仿真, 但是暂不支持在线仿真温升和发热量等数据，该数据可以联系我们的销售来支持。
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Q碳化硅未来会被氮化镓取代吗？
A碳化硅与氮化镓的优势方向不同。 碳化硅的优势在于能支持更高的耐压跟更高的工作频率。更适合工业类的高电压大电流场景例如PV,充电桩。 氮化镓的优势在于实现更小的体积。更适合用于电源的小型化应用，例如手机充电器，小型水泵、油泵电源。
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Q能做到更低的导通损耗和开关损耗是出于什么思路？
A这个主要是由SiC的材料特性决定的。
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QSiC MOSFET主要适用场景？
ASiC MOSFET主要应用于中高压以上的场景。
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Q这些器件都是面向汽车领域的？有电力和油田生产作业设备应用的案例吗？
A本次讲解器件都是面向非车载领域，比如工业用。 电力系统我们有相关应用，具体请联系我们。
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QSic mosfet与其他的有什么区别？
ASIC MOSFET相较Si MOSFET 的优势有: 支持更高的工作频率，实现减少无源器件体积实现小型化。 减少冷却系统的功率损失・高输出功率， 更优的散热 支持更高的工作电压范围
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Q效率的提升还有哪些难度难点？
A效率的提升是一个系统设计问题。我们的器件能减小开关损耗，有利于系统效率的提升。
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Q降低总功率损耗，还有什么其他手段？
A可选取更合适的电路拓扑例如ZVS等； 应用损耗更小的器件，例如Vf更低的二极管等； 减小变压器损耗，例如优化绕组，铁芯损耗等；
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Q东芝的SiC MOSFET在选择上需要考虑哪些参数？
A在选型上，最大耐压，导通电阻，导通电压，导通电荷Qg，输入结电容Ciss都是比较关键的参数。
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Q现在东芝的MOSFET，普通的与SIC的，单管型的（非模块化的），最大耐压与最大电流分别是多少
A普通的MOSFET最大耐压为900V，最大电流400A SIC MOSFET最大耐压为1200V，最大电流100A
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Q导致碳化硅的失效原因有哪些？
A一般失效的原因主要是过压，过流，过热，ESD等。
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QSIC可以用到交流中吗？
A由于MOSFET内部有个寄生的体二极管。所以，如果需要用于交流场合，一般用2个管子背靠背使用。
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Q东芝的SIC MOSFET的温升正常推荐在多少℃以内，环境温度在40℃的情况下。
A控制器件的结温TJ 在175度以内，实际应用不要超最大值的80%
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Q东芝第三代SiC MOSFET是否满足车规要求？
A满足车规要求的SiC MOSFET目前还在开发中。
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Q开关电源中SiC MOSFET主要应用是什么？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 比如PFC和高压初级侧的开关
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Q由该器件组成的电路可以仿真吗
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 目前还没有，谢谢！
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Q碳化硅MOSFET的PSPICE模型如何应用？
A和硅MOSFET一样应用
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Q碳化硅mosfet做电源开关器件，如何减小开关损耗及开关振铃对emi的影响？
A降低损耗和EMI有时是一对矛盾的选择。 提升开关频率，减小Rg阻抗，高di/dt 会降低开关损耗，但会产生开关震荡，影响EMI，所以需要平衡，折中。
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