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Q如何快速获取东芝第三代SiC MOSFET的资料？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET ! https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html
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QSiC MOSFET效率能提高到多少？
A系统效率取决于电路拓扑，电路布局设计等因素，需具体分析。 东芝第三代碳化硅的导通电阻最低达到15毫欧，可在高电压下实现更低的导通损耗提升效率。
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QSiC MOSFET技术主要有哪些技术提升？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 1.内置SBD VF=1.35V 2.低RDS(on) * Qgd 3.宽VGSS范围 -10V~25V
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Q第三代SiC MOSFET的主要提升的性能指标有哪些？
A三方面：Built-in SBD; Low Ron×Qgd; Wider VGSS rating
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QSiCMOSFET的内阻低到多少
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 东芝第三代SiC MOSFET最低可以15mΩ（典型）。
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QSiC MOSFET与IGBT相比，各有哪些优劣？
ASiC相对于IGBT的优点是导通电阻更小，开关损耗更小（SiC没有IGBT的拖尾电流），缺点是SiC目前价格比IGBT高。
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Q东芝的SiC MOSFET可以运用在哪些场合，工作温度范围是多少？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 比如服务器电源，通讯电源，电动充电桩，光伏逆变器。 -40℃ ~ 175℃，注意Tj < 175℃。
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Q东芝的价格与同行相比是有优势吗
A东芝内置同一芯片的SBD二极管 ，提供综合性价比的优势产品。更多具体价格信息请咨询我们。
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QSiC MOSFET未来是否代替更多方案应用
A技术上来说SiC MOSFET未来是趋势，特别是在高电压大电流的工业领域，比如光伏，储能，充电桩，火车等等。
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Q东芝的SiC MOSFET有哪些封装和尺寸可选？
A目前东芝第三代碳化硅支持封装TO-247和TO-247-4L
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Q节能、绿色的主流探索材料方向还是更先进制程方向
A功率器件制程要求不高的。 目前主要还是新材料和新的封装探索。
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Q第三代SiC MOSFET的发热量如何？需要进行怎样的散热设计？
A器件的发热量主要由系统设计决定的。散热设计也是属于系统设计。
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QSiC MOSFET的功耗通过什么材料特殊降低功耗的吗
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 相比传统的Si材料，SiC确实具有更高的耐压，和更低的损耗。
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Q东芝第三代SiC MOSFET耐压最高可以到多少？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 1200V
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QSiC MOSFET的SPICE模型和它的Device模型是一个概念吗？若不是，主要区别是啥？
A是用于电路仿真的器件模型。一个概念。
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Q东芝第三代SiC MOSFET抗电压冲击能力如何？
A请问是ESD能力吗？ 该参数可联系销售端提供。
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Q静电破坏严重否？
A静电破坏的程度取决于外部的能量。 东芝第三代碳化硅产品的ESD性能可联系销售端获取。
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Q第三代SiC MOSFET极限工作温度范围？
A结温175度，推荐使用在80%。
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Q不同厂家制造的SiC MOSFET的SPICE模型一样吗？可以通用吗？
A不同型号器件的模型是不一样的。
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Q大概率应用，需要给它单独加一个散热片吗？
A散热方式取决于具体应用具体工况
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