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Q东芝的市场价格占有市场份额大吗
A东芝功率器件排名前列，碳化硅产品具有综合性价比优势，在某些领域具有很高的市场份额，具体请详细咨询我们。
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QSiC MOSFET的开关内阻是确定的吗
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 内阻和栅极驱动电压有关，要注意的是驱动电压不够时比推荐值的内阻稍大。
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Q东芝第三代SiC MOSFET的坏片率控制在什么范围
A这个目前没有能披露的数据。
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Q脱碳是必须的吗？
A大趋势，为了全人类！
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Q高温下，长时间的负栅极偏置，是否会导致SiC MOSFET的回滞特性变化？
A东芝的SiC MOFET 栅极有氮化工艺。 实测168小时高温栅极DC负偏，Vth变化小于10%。 实测1000小时500kHz高温栅极脉冲，Vth变化小于5%。 Vth回滞特性也是很不明显的。
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Qsic mos 管价格如何？
A目前碳化硅单颗MOSFET的整体市场价格还是高于传统硅MOS，但可以带来损耗和体积等多方面的优势，从而减小系统级成本。东芝提供更高综合性价比的产品，具体请咨询我们。
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Q东芝第三代SiC MOSFET需要专用的驱动吗 设计电路简单通用吗
ASi MOSFET一般都是10V驱动，驱动电路基本通用。东芝SiC MOSFET需要18V驱动，其他友商有些是15V驱动，所以需要注意驱动电路电压。
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Q东芝第三代SiC MOSFET比前2代有改进的地方是哪几个
A主要改进的是Ron*Qgd，第三代比第二代降低80%。
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Q在额定参数范围内，降低SiC MOSFET的栅极驱动电压是否会增加损耗？是否会降低可靠性（比如大负载时或高温环境下）？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 驱动电压不合适会增加损耗，比如RDS(on)没有达到最优值，开关时间延长导致开关损耗增大。 损耗增大通常会导致温升从而影响寿命和可靠性。
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Q东芝第三代SiC MOSFET可以直接替代前几代的吗
A东芝第二代是TO-3P(N)封装，第三代是TO-247封装，封装不一样，不能直接替代。
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QSi和SiC的区别在哪？
A衬底和外延层材料不一样
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QSiC是Si产品的升级吗？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 是半导体代别技术的提升，SiC是第三代半导体的典型代表。
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Q东芝第三代SiC MOSFET是最新产品吗
A是的，是最新的。
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Q内阻还有进一步优化的空间吗？
A随着产品的迭代，内阻会越来越小。
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Q东芝第三代SiC MOSFET可以用在车规产品上嘛？
A目前是用于工业的。车规品在开发中。
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Q东芝第三代SiC MOSFET耐压最高的是多少V？
A东芝第三代SiC MOSFET分立器件耐压最高是1200V， 模组是3300V。
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Q东芝第三代SiC MOSFET功能能够达到多低？
A请进一步详细描述您的问题，经过优化Rdson和Qgd, 目前最低导通电阻的量产品是15毫欧
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Q东芝SiC MOSFET出货量怎么样？
A目前逐步大批量出货中，目标M级，欢迎具体咨询订购。
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Q体二极管是否会随着时间的推移或者器件的带载使用而发生明显的不可忽略的变化？spice模型可以考虑到这一参数吗？
A体二极管问题不可忽略 东芝采用内置SBD，避开了该问题，spice模型不必考虑到这一参数
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QSiC MOSFET价格相比以前的贵多少？
A和自己的老代产品，价格有大幅降低。
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