-
Q1. SIC MOSFET是否具有通信接口，完成智能自身状态的上报
ASiC MOSFET 不带监控功能与通信接口。 仅相当于一个利用高低电平控制的开关。
-
Q2. SIC MOSFET在电动汽车充电站的应用方案能否详细说明下
A目前通用的拓扑是3 phase Vienna PFC + 3Level LLC, 详细资料可以联系我司销售端，谢谢。
-
Q开关速度大约在多少范围？
A50kHz 到150kHz
-
Q在高功率密度场合下，SiC MOSFET比其他类型有什么优势？
ASiC材料的击穿电场强度、饱和电子速度和热导率均高于Si； 因此，SiC器件提供了高电压、高速开关和低导通电阻的性能。
-
Q碳化硅功率器件如何帮助降低能耗？
A通过降低Ron*Qgd， 可以降低导通损耗和开关损耗，从而降低整体能耗。
-
Q东芝第三代SiC MOSFET最高耐温可以到多少？
A目前是175℃。
-
Q东芝是否会提供SiC MOSFET相应的评估方案？
A可根据具体应用具体评估。 具体详情可联系销售端窗口。
-
Q第三代SiC MOSFET的击穿电压可以达到多少？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 目前东芝SiC MOSFET有650V和1200V两个规格的产品。
-
QSIC MOSFET 驱动电路采用变压器驱动的话，有什么合适的驱动方案？
A我们正在扩展我们的栅极驱动IC产品线。对于包括SiC 在内的高压开关器件，我们建议使用光隔离栅极驱动IC，例如 TLP5214A。 针对高速开关操作的单功能栅极驱动IC目前正在开发中。
-
Q电动汽车的轻量化涉及到哪些方面？
ASiC MOSFET通常应用于电动汽车的OBC，电驱，DC/DC。可以极大地减小开关损耗，继而减小散热器。这样电动车的重量就可以减小，效率提高，续航里程增加。
-
Q影响SIC MOS 长期可靠性的因素有哪些？
A主要是温度，电应力，环境因素等。
-
Q采用碳化硅功率器件，如何增加单次充电的续航里程？
A采用碳化硅功率器件，可以提高工作效率，小型化无源元件，这些都能节约能量，提高续航里程。
-
Q东芝第三代SiC MOSFET和其他厂商的SiC MOSFET有什么区别？
A芯片内部集成 SBD，规避体二极管的使用。规避双极导通造成的层错缺陷蔓延。 门级电压宽范围：-10V~+25V，门级电压设计的容忍度高。 Vth高，更能规避干扰引起的误导通。
-
Q碳化硅半导体功率器件目前主要用在哪些类别的产品设计中？
A主要有工业类应用设计例如 光伏，充电桩，服务器电源等 和车载类应用例如车载OBC，汽车逆变器等
-
QSiC MOSFET的开关损耗和导通损耗相比常规MOSFET低了多少？
A这个不能一概而论，要看具体应用的。一般可以减小开关损耗30%以上。
-
QSiC MOSFET如何兼顾大功率（大导通电流）和低阻抗（低导通电阻）两个参数的？
A通过精细集成和优化单元设计持续提升芯片性能来权衡性能。具体性能参数请参考官网选型或联系销售端。
-
Q开关寿命是多久？′′
A器件的开关寿命，取决于使用的环境，包括温度，电应力等。
-
Q电压有自行保护吗？安全性能怎样？
A目前这个器件没有这个功能。
-
Q如何利用碳化硅功率器件来降低数据中心电源的能源消耗？
A根据碳化硅器件选择合适的拓扑，借助碳化硅器件相较于普通硅器件更低的导通损耗和开关损耗，来实现更高的系统效率。实现数据中心能源损耗的降低。
-
Q东芝有没有仿真软件？
A东芝本身没有研发仿真软件。但能提供spice模型等使用第三方仿真软件进行仿真
- 1113召开 以48V电机驱动技术引领绿色创新
- 1030召开 交流/直流电源输入过流和过压保护选型指南