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Q请问一下SIC 的MOSFET推荐的工作频率一般建议在多少KHZ比较好
A工作频率要看您是具体用在哪种产品里，碳化硅器件用于高频才能更好的发挥出其特性优势。正常50-150kHZ是大部分产品的范围， 比如LED驱动电源的频率超过100kHZ.
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Q怎样降低SiC MOS 的dv/dt冲击？
A这个需要调整栅极驱动电路，调整合适的参数。
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Q适用于SIC MOSFET的驱动芯片应该满足哪些要求？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 1.满足SiC MOSFET的驱动电压范围。 2.足够的驱动电流。
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Q碳化硅的驱动电压和pcb布局有哪些注意事项？如何法会siC最佳性能？
A东芝SIC MOS驱动为18V开通，0V关断，无需负压便于控制 采用TO-247-4L 封装，新增的辅助E脚，便于降低DS之间大电流都门极的影响，PCB布板时辅助E单独走线，远离大电流的E.
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Q东芝的碳化硅器件，Rds On最小到多少毫欧？
A在650V/1200V的东芝第三代碳化硅器件line up里，最低能到15毫欧
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Q东芝第三代SiC MOSFET主要应用在哪些行业？
A主要应用在工业类领域。例如光伏，充电桩，储能等
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Q如果需要对SiC MOSFET进行强制冷却，一般有哪些方法？是采用散热器吗？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 通常SiC MOSFET的应用都会添加散热器，除此之外可以用风扇，或水冷，液氮等冷却方式！
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Q东芝有没有IGBT的产品
A有的，请参考如下官网链接。 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/igbts-iegts.html
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Q小型化无源器件可以从哪方面降低减小？
A提高功率器件的开关速度
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Q与硅IGBT相比，SiC MOSFET的短路承受能力怎么样?
A短路耐受能力弱一些
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QSiC MOSFET能不能并联使用来增加功率？
A可以，很多客户都在其产品应用并联。
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Q碳化硅的迭代是生产工艺的升级吗？
A除了工艺的升级外，还有设计的升级。
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Q开关噪声不太可能导致MOS故障的设计思路是什么？
A取决于开关噪声的等级（干扰的幅度，宽度），是否超SOA安全区?
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Q最低导通电阻可以是多少？
A最低可到到15毫欧
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Q东芝是否有线上评估系统用于评估SiC MOSFET？
A东芝官网提供PSpice 和 LTSpice Model, 客户可以下载该模型进行仿真。
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Q贵司的SiC MOSFET与其他有何不同？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 内置SiC SBD VF=1.35V。
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QSiC MOSFET选型时要如何选择冷却系统？或者说是本身自带的吗？
A自身不带冷却系统。在仿真后决定采用自然冷却，还是强制冷却。
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Q东芝SiC MOSFET更低的功耗是通过什么思路去做的？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 主要通过更低的RDS（on）* Qgd。谢谢！
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Q东芝第三代SiC MOSFET最高耐温达到175度，这指的是环境温度还是自身器件温度？
A器件结温
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Q使用由SiC MOSFET的开关电源，可以实现静音电源吗
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 您说的静音是开关机时电源比较平稳是吧。这属于电源整体设计，比如软起动技术。与单个元件没有直接关系。 当然合理的电源设计，使用SiC MOSFET是可以设计出“静音电源”的。
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