现代电源转换的一大趋势是追求更高的效率和更高的功率密度，让世界更为“绿色”。较高的总线电压和较低的电流是最佳方法。然而，满足这些目标对于开关速率低的高压硅功率元件来说是一个挑战。因此，工程师不得不使用低开关频率和相关的又笨重又昂贵的无源元件，或者使用使系统难以控制的多级复杂拓扑；甚至会导致系统出现可靠性问题。Microchip的SiC功率解决方案组合提供出色的耐久性和性能，包括SiC分立器件、SiC功率模块和智能数字SiC栅极驱动器；帮助工程师采用具有可靠控制的简单电路来实现更高的效率和功率密度以及更低的系统总成本。诚邀您参加此在线研讨会，以了解Microchip的SiC功率解决方案的优势，助您便捷且自信地采用SiC。

对更清洁、更绿色世界的需求带来了SiC模块市场的蓬勃发展。SiC模块的运行速度比硅模块快得多，同时还有不良的次要影响，如噪声/EMI，短路，过电压和过热等。需要借助增强开关技术的数字解决方案来消除这些影响。Microchip可配置数字门极驱动器，使用增强开关技术，帮助客户在SiC模块上实现智能门极驱动，减少设计和评估时间，更快地推向市场，更早地获得更多收入，并加速创新过程。

随着电气设备自动化程度的不断提高，电机的应用越发广泛。东芝的电机驱动电路已经投放市场40多年，涵盖了消费类，工业类和车载类等应用领域，并且正在根据客户需求进行持续开发。近年来，在双碳政策的引领下，对用电设备的能耗要求越来越高，受此市场趋势的推动，无刷直流电机的市场份额显著提高。聚焦于无刷直流电机及其驱动电路的解决方案，我们将联合21ic网站分两次举办“电机驱动技术研讨会”。本次为第二场研讨会，将在前一场研讨会的基础上，就被广泛应用的无刷直流电机的控制电路以及应用设计时的要点，结合东芝已被广泛应用的产品示例加以探讨说明。

为了有效地利用电力资源，降低成本，近年来新型储能解决方案特别是电池储能系统受到市场和资本的追捧，整个行业呈现出高速增长的繁荣景象。本次网络研讨会就是针对电池储能系统这一热点应用，以工业和家用电池储能系统为例，概述电池储能系统的总体架构，在对其核心子系统如电池管理系统、双向储能变流器，功率/能源管理系统，和云接入方案进行介绍的基础上，并分享了恩智浦半导体提供的相应的微处理器解决方案及参考设计。最后，通过研讨会的交流，希望与会者们能增进对电池储能系统应用和恩智浦半导体提供的技术解决方案的理解，并在其中找到相关的商业机会。

随着电气设备自动化程度的不断提高，电机的应用越发广泛。东芝的电机驱动电路已经投放市场40多年，涵盖了消费类，工业类和车载类等应用领域，并且正在根据客户需求进行持续开发。近年来，在双碳政策的引领下，对用电设备的能耗要求越来越高，受此市场趋势的推动，无刷直流电机的市场份额显著提高。聚焦于无刷直流电机及其驱动电路的解决方案，我们将联合21ic网站分两次举办电机驱动技术研讨会。 本次为第一场研讨会，将就电机的基本原理／种类，无刷直流电机的构造／特征／运转控制方法和驱动电路的功能角色加以说明，并结合上述理论介绍东芝实际的电机驱动电路系列。

近年来，随着半导体新工艺的开发和微细化的进展，电子设备中使用的半导体元器件因预料之外的电压变动而使得耐受能力变差，因此这些电子设备中使用的保护器件就变得越发重要。本次研讨会上我们将从造成电路性能下降到内部电路损坏的原理出发阐述TVS二极管的基础知识以及使用TVS二极管的解决方案。

作为世界上著名的电容生产专家，尼吉康一直致力于市场需求的新产品开发。将对尼吉康全新产品“铝电解电容器”、“xEV用薄膜电容器”和“小型锂离子二次电池”进行介绍。详细讲解了新产品的性能特点和应用实例。

近些年，随着各种各样的机器设备对于过电压过电流的保护功能的要求越来越严格，传统机械保险丝已经不能满足对于高保护性能及重复使用的要求，电子保险丝的使用场景越来越多。

近年来，碳达峰和碳中和成为热门话题，实现双碳目标需要实现社会电气化。零碳电力技术是实现碳中和的先决条件。工业、汽车、医疗、商业和家居行业等都在积极转向电气化发展。所以提高电能的利用效率成为关键。本次研讨会上介绍的东芝智能栅极驱动光耦将为提高电能的利用效率做出贡献。东芝智能栅极光耦适合驱动IGBT／MOSFET等功率器件，包括具有内置过电流保护功能和6.0A输出电流等的多种产品，因此，可以根据IGBT／MOSFET的栅极容量来选择最合适的产品，本次研讨会上将就具有高度保护功能和设计灵活性的智能栅极驱动光耦的功能及设计上的注意点加以说明。

本次网络研讨会将会介绍Microchip碳化硅的历史，碳化硅材料的优势，碳化硅产品、碳化硅产品的坚固性、耐受性、长寿命、高效率等特点、Microchip碳化硅产品的重点市场，仿真、选型、支持工具等，还会重点介绍Microchip在大功率直流系统的碳化硅断路器解决方案

此网上研讨会将介绍安森美VE-Trac™系列全新的第二代双面散热(DSC Gen II) 电源模块。新器件提供同类最佳的电气和热性能，相比DSC Gen I，其芯片尺寸相同并且提供相当的输出功率。最新的 IGBT 烧结技术降低热阻值，与前代产品相比模块寿命得到延长，前代模块的工作寿命是SSDC封装的3倍以上。片上经过校准的温度传感器使 DSC Gen II 能在更严格的虚拟结温（Tvj）范围内工作，提供更多空间来设置过温点。片上电流传感器能快速检测短路故障，并采取相应的行动。

DC-DC转换应用的设计人员正面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。本次研讨会将介绍适用于DC-DC电源应用的高效率封装解决方案。 了解如何以Dual Cool™, Power Stage及Power Clip 封装解决方案简化设计及增加系统效率。

安森美半导体的NCP1937高能效组合(Combo)控制器，集成了功率因数校正(PFC)及准谐振(QR)反激控制功能，用于设计紧凑的适配器及高能效LED电视电源等应用。本次网上研讨会将介绍NCP1937的关键特性、主要优势及重要的设计考虑因素。

本次研讨会将介绍飞兆半导体的新一代超级结 SuperFET® II MOSFET 器件适用于 AC-DC 开关电源应用。 由于对数据处理速度和功率要求的不断提高，AC/DC 开关电源设计人员面临提高系统效率和功率密度的难题。 飞兆半导体的新型超级结 MOSFET 同时解决了各种难题。 超级结 MOSFET 基于电荷平衡技术，可降低导通电阻和寄生电容（通常这两个参数是一个权衡），从而能够提供出色的性能。由于寄生电容较小，这些超级结 MOSFET 具有极快的开关特性，从而可以减少开关损耗。 然而，由于没有 dv/dt 控制，漏源电压摆率达到 100 V/ns，这可能会导致电磁干扰 (EMI) 问题以及与器件或导致由于印刷电路板杂散寄生效应、开关电源中超级结 MOSFET 的非线性寄生电容有关的不稳定运行。 由于 SuperFET® II MOSFET 的优化设计，飞兆半导体的新一代超级结 SuperFET® II MOSFET 器件具有快速开关和低开关噪音特性，从而在应用中能够实现高效率和低电磁干扰 (EMI)。 在本次研讨会上，我们将介绍新一代超级结 MOSFET（SuperFET® II MOSFET）及其如何最大限度地减少您的设计工作量并提高 AC-DC 开关电源应用的系统效率和可靠性。

介绍安森美半导体最新推出用于LED照明的NCL3008x系列原边反馈方案的主要技术特点及优势，如同时支持隔离及非隔离拓扑结构、提供非常精确的初级端恒流精度、高能效拓扑结构、保护及灵活的产品组合等。还分享基于NCL3008x的紧凑型A19和GU10 LED灯参考设计的规格、电路图及电路板在恒流精度、能效或谐波含量方面的测试结果，彰显NCP3008x系列是适合LED照明应用的高能效、高稳流精度的原边方案。