最新SiC MOSFET技术,推进脱碳社会建设

时间: 2023-05-23 10:00:00 (1年前)
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会议介绍

近年来,为应对气候变化所带来的影响,世界上许多国家都宣布了其碳减排目标。开发节能、绿色的数字和信息通信技术系统是实现无碳社会,最大限度地利用太阳能、风能和其他可再生能源,加快电动汽车的普及以及电动汽车充电基础设施发展的有效手段。功率半导体器件可传输和控制电力,对于降低各种汽车和工业电气应用的能源消耗至关重要。碳化硅功率器件与现在占据主导地位的硅功率器件相比,具有更好的物理特性,有助于电动汽车的轻量化、单次充电的续航里程的增加,以及数据中心电源效率的提高等。因此,碳化硅半导体功率器件在功率器件中的应用范围正在逐渐扩大。

东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗,支持如开关电源(数据中心服务器、通信设备等)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站等各种高功率密度应用。本次研讨会上我们将重点介绍东芝第三代SiCMOSFET的技术特性及其应用场合。

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主讲人
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    黄文源
    黄文源,现就职于东芝电子元件(上海)有限公司半导体技术统括部技术企划部,长期从事半导体产品技术支持,以及技术市场和技术企划工作。
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