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Q碳化硅对比传统硅器件设计有什么需要注意的？
A 需要注意碳化硅的MOSFET驱动电压与传统硅器件有所不同 详情请与我们主办方联系获取应用手册
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Q5. 能否介绍一些典型产品的解决方案
A 目前有非常多的基于碳化硅的产品解决方案 具体需求请联系主办方获得解决方案细节
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Q2. 目前碳化硅产品都在哪些领域得到广泛应用
A 电动汽车市场（OBC，车上的DC-DC系统，电驱，以及充电桩，直流短路器） 新能源市场（光伏太阳能逆变器，储能，智能电网，风电等） 电源市场（医疗电源，服务器电源，辅助电源） 工业市场（牵引驱动，工业感应加热，工业机器人电源，直流断路器）
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Q3. 对于碳化硅产品的设计应用，MICROCHIP有哪些仿真工具可以辅助设计
AMicrochip有MPLAB® Mindi™ Analog Simulator和SiC MOSFET & SBD SPICE Models 可以利用做辅助设计
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QMicrochip的碳化硅器件有哪些系列？
A Microchip SiC 产品按系列分成SiC 二极管，MOSFET和功率模块， 另外和SiC 相关的产品还包括数字驱动，和MOSFET 模块驱动模块等周边产品
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QMicrochip的碳化硅器件都有仿真模型吗？
A Microchip的SIC器件可以提供SPICE 模型，可以访问www.microchip.com/sic 找到详细信息
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Q可以通过数字信号直接控制吗？
A 碳化硅MOSFET属于大功率器件，驱动需要足够的驱动电流和中等驱动电压，数字驱动信号需要进行电压和电流的放大，以及增加若干其他电路保护功能等来进行碳化硅MOSFET驱动
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QMicrochip碳化硅及大功率直流断路器解决方案有哪些优势特点？
A Microchip碳化硅及大功率直流断路器解决方案的优势特点主要有： 寿命特别长、无火花 特别安全、电路保护和切换响应时间特别快、工作温度高等
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QSIC的损耗有哪些？导通电阻如何？
A SiC的损耗与传统硅器件相比有极大的减少，也包含传统的导通损耗、开关损耗、反向恢复损耗等，各种损耗类别都比传统硅器件有一个数量级的降低，可以极大提高开关速度、降低损耗、提高效率、提高功率密度
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Q断路器的断路模式是电流还是功率？
A 主要是电流断路、当然无电流以后，功率也断开了
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Q碳化硅和传统的MOS有什么区别？
A 碳化硅MOSFET相比传统硅MOSFET有低很多的导通电阻、高很多的耐压等级、以及高的多的开关速度，可以极大简化电路设计、降低电路损耗、提高功率密度等
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Q该碳化硅可以做到多少开关频率？
A 碳化硅MOSFET的开关频率在1200V的耐压等级可以做到300kHz甚至更高、是最好的IGBT的十倍左右，在1700V以上开关频率相比传统硅IGBT高的更多。
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Q碳化硅器件门极电阻如何确定，有什么方法吗？
A 类似于Si MOSFET的门极电阻的选法，总的来说，大的Rgon和Rgoff可以减缓开通速度减小震荡，但会增加开通时的损耗，小的Rgon和Rgoff可以加快开关速度，但容易引起振铃加重EMI干扰，所以需要根据实际情况折中选取。MCHP有相关驱动设计的指导说明，具体使用我司器件时可以提供给您。
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Q碳化硅驱动是否要加米勒保护电路？
A 这取决于具体电路和具体工作条件，详情请联系主办方获得微芯专家团队的直接支持
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Q该碳化硅功率器件有安全工作区麽？有哪些参数设置的？
A 该碳化硅功率器件的安全工作区远比传统硅器件宽特别多 具体使用中 主要是驱动电路需要设置 详情联系主办方获得Microchip专家团队的设计指导
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Q碳化硅断路器对反向击穿的能力相对于二氧化硅提升多少？
A 碳化硅断路器特别适合应用在高压场合
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QMicrochip有参考设计吗？
A Microchip有很多参考设计、具体需求请联系主办方获得Microchip专家团队的设计指导
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Q碳化硅器件驱动电路应该怎样测试？
A 请联系主办方获得微芯专家团队的直接技术支持
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Q碳化硅支持数字通信吗？
A 碳化硅器件主要包括二极管和MOSFET，使用SIC设计的电源模块或断路器，可以应用于通信电源设备。对于器件本身MOSFET的开通和关断，需要驱动线路接受数字逻辑信号、并进行驱动能力放大后、实现对MOSFET的栅极进行通断控制。
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Q碳化硅MOSFET发热大不大，需要加散热器么？
A 相对比Si MOSFET， SiC 在功耗方面有明显的优势，在相同功率输出情况下比Si 对散热的要求要低很多，散热器是否需要还要通过热计算来决定
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