-
Q使用Microchip碳化硅设计大功率电源，集成度高吗？
A 使用Microchip碳化硅设计大功率电源，效率高、体积小、频率高、功率密度高、集成度特别高
-
Q碳化硅在发电机领域有优势吗？
A 碳化硅在发电机领域需要替换硅器件的场合也有非常大的优势
-
QMicrochip的碳化硅技术可不可以取代IGBT?
A Microchip的碳化硅技术完全可以取代性能很糟糕 而且疯狂缺货的IGBT器件
-
Q大功率直流断路器采用的是什么方案？
A 大功率直流断路器越来越多采用碳化硅的解决方案 来降低损耗 提高效率 无火花 更安全 极大提高寿命等
-
Q碳化硅mos管的电流耐受会更大吗？
A 和传统的SI MOS管相比，在相同的条件下，SIC MOS可以流过更大的电流 例如：Microchip 的MSC040SMA120B(1200V 40mohm的SIC MOS管) 在Tc=100℃的时候，Id可以达到46A， 但是如果同样的1200V SI mos 在Tc=100℃的时候 Id会非常小。
-
QMicrochip碳化硅的最大耐压等级是多少？
A 目前Microchip已经量产的碳化硅 最大耐压为3300V
-
Q碳化硅的驱动阀值电压随着温度升高会降低吗？
A 是的，Microchip做了很多实验，我们的MOS 门值电压相对比较稳定
-
Q目前碳化硅产品供货周期如何？
A 目前市场上碳化硅产品供货周期比较长 严重供不应求 而Microchip的碳化硅供应是巨大的优势 极大帮助客户
-
QSiC是否也有耐静电破坏优势?
A SiC的禁带宽度更宽，电击穿电场更大，对高电压瞬间冲击的抵抗能力会更强
-
Q碳化硅选型手册有吗？
A 访问 https://www.microchip.com/en-us/products/power-management/silicon-carbide-sic-devices-and-power-modules 在页面的最下面可以找到 selector guides
-
QMicrochip的大功率碳化硅MOSFET的Rds能达到10毫欧量级吗？
A能的。如MSC017SMA120B4，是１２００V，１７毫欧的SIC MOSFET。
-
Q控制信号频率可以达到多快？
A 理论上可以使用到４００KHz, 实际因为磁性材料等原因，很少使用到这么高的。
-
QMicrochip可以提供碳化硅SPICE模型吗？
A 访问microchip的网站 www.microchip.com/Mindi 仿真工具 www.microchip.com/SiC 有SPICE 模型，在网页底部
-
Q如何降低SIC器件的开关损耗？
A SiC MOSFET 的开关损耗主要控制开关驱动信号的陡度和震荡，这两者很多时候是相互挟制的，需要做平衡和最终的计算
-
Q控制信号的电流大小主要和什么有关？
A控制信号的电流大小主要和驱动电压和驱动电阻等有关
-
Q大功率直流系统的碳化硅断路器主要有哪些特点，安全性是如何保证的？
A 大功率直流系统的碳化硅断路器主要有：无火花、更安全、寿命长、保护功能多、响应快、可控、工作温度高等特点
-
Q断路器的发热情况如何？是否需要特殊的散热装置？
A 在短路器的正常导通过程中，由于MOSFET的选型保证连续导通电流余量足够大，散热不是主要问题，当然由于连续导通，正常导通时的器件结温任然是考量能否正常工作的主要因素，这个需要根据环境温度、散热环节所有热阻及导通损耗计算，以保证安全的结温。选取不同的散热器，会影响安全的结温余量。主要问题是在线路中发现有过电流或短路情况下，如何根据安全结温或最大安全过电流，以及相应过电流或短路情况采取相应措施的时间，结合安全的结温、设的响应时间、电流的阈值等这些条件，计算并选取相应的散热装置。MCHP有相关应用的设计方案和EVB，如客户选用我司方案时可以参考设计指南。
-
Q不超限的情况下，断路器的寿命能达到多大？
A 不超限的情况下，基于碳化硅的断路器的寿命能达到远超汽车寿命的长度 不会因为传统继电器寿命影响产品寿命
-
Q断路器对环境要求是什么？是否对特殊环境因素有要求？
A 碳化硅断路器对环境要求低 可以工作在很多普通断路器无法工作的危险场合
-
Q为什么要对DC-link和主驱逆变器进行预充呢？
A 对DC-link和主驱逆变器进行预充可以极大降低短时间大电流对于主电路的冲击 保护主电路和器件等
- 1113召开 以48V电机驱动技术引领绿色创新
- 1030召开 交流/直流电源输入过流和过压保护选型指南