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Q测试完整包含多少要测的项目？
A 器件datasheet中提供的项目
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QSic和GaN作为第三代功率器件代表，相较于前2代功率器件的优点在哪。是阻抗更小还是可控性更好。
A 都有，请参见前几页ppt
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QSiC耐压、耐电流同时都大吗？
A 看设计。主要在于一样的耐压耐流指标下更快，效率更好
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Q晶圆级探针台最多多少路？每路的寄生电容大约什么水平？
A 功率器件测试一般是四路，Drain/Collector，Source/Emitter和gate，水平器件，有需要的话可以加Substrate的Bias，探针本身的寄生电容很低，尤其是高压探针，本身是Triaxial的结构，chuck寄生电容为几十pF的量级，对于垂直器而言，漏电稳定时间很短，15pA的稳定时间小于1.5s
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Q宽禁带半导体驱动有米勒效应么？如何避免该效应？
A 有，避免不了
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Q之前的IGBT等功率器件，想测试IGBT的开断时间、导通角等参数，有什么方法。
A 建议联系我们销售代表，线下沟通
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Q晶闸管的性能曲线能测到吗？包含功率
A 可以
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Q是德科技的功率测试解决方案中有配套的计算机软件吗。能否将测试数据自动存入测试报表，存档记录。
A 有的，可以
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Q共模电压测量偏差多大？
A 看共模电压多大，测试探头的隔离度多高
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Q是德科技的功率分析仪支持的功率测量范围是多少，精度能到多少，能精确到1uA吗。
A 静态的漏电流，可以测量到pA级别
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Q对第三代功率半导体进行测试，有哪些难点和注意事项，是德科技有这方面的技术文档吗，从哪可以下载。
A 今天的讲解就包含了。文档可从官网下载
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Q宽禁带半导体目前在汽车行业应用的情况如何？
A 汽车是三代半导体的主流驱动力，EV中已大规模使用SiC模组
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Q功率器件作为开关使用，这个开断时间非常短，测试方案能否准确记录
A 可以的
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Q三代半导体区别之前的优势和特点是知道了，但我想额外了解二代是因为什么原因逐渐退出市场的？
A也没有退出市场，在某些领域仍占很大比重
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Q对于大电流的测试，功率器件发热会影响测试准速度吗
A会影响，所以要控制进行脉冲测试，减少器件升温
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Q是德科技的功率器件测试方案中的仪器，需要定期校准吗。像开关时间在ns级别，长时间使用测试仪器，还能准确测量吗
A 大部分需要定期校准。ns级别对于测量仪表来讲很轻松，仪表的时基在几十fs量级
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QSiC及GaN FET有更快的开关速度及边缘速率，如何确保测试结果的可重复性及可靠性？
A 很好的问题，这是是我们作为测试测量领域主业公司的专长，很多方面来保证，包括固定搭配的仪表，足够的测量余量，定制的低杂散测试夹具，可靠的用户测量前校准，高频去嵌的应用，软件的优化等等，都是为了解决测试的精度和重复性
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