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QSIC的大功率器件可以做到SOT23的封装吗？
A目前没看到。此类小封装的耐压预计不高
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QSiC功率器件目前支持最大的功率输出？
A不确定
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Q目前是德对SiC和GaN的测试是偏重板级测试还是晶圆测试？
A 偏重封装后的器件和模组，晶圆测试会有相应的合作集成商合作进行，请参见后半部分讲解
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Q晶圆级测试中常见的高压打火是因为电压高距离近吗？如何避免？
A 垂直器件主要是因为强电场导致的空气电离，水平器件则主要以沿面放电为主，打火现象跟介质的击穿电压有关，常规的手动测试方式是用绝缘油滴在wafer表面增强隔离，或者用高压测试专用的探卡，通过提高压强来增强隔离
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QGaN的驱动频率高了，电压也高了，开关损耗会不会也高？
A 会的，因此开关参数很重要。要求开关时间更快，从而降低损耗。同时也有一些软开关的方法
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Q是德有什么设备或方案测试GaN的开关损耗吗？
A今天讲解的 动态测试系统
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Q请问：测试功率器件如何防止二次击穿？
A 取合适的测量条件，还要控制尽量低的测试系统杂散参数
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Q目前第三代功率半导体的性价比和传统半导体比，性价比大致能提高多少？
A 没有准确数值，目前主要是性能好，将来性价比会越来越好
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Q请问空气击穿是怎么个现象
A 不确定，本次议题不包含您提到的内容
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Q性能动态参数测量方案有没有误差？
A 有，请参见数据表
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Q测试条件是在什么环境下进行的？什么标准
A 常温，高低温。IEC，JDEC规范是主要的参照
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Q开关损耗是什么测到的？如何计算
A 请见前面的ppt
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Q半导体测试一般是在常温下进行的参数确认，如果在高温下，测试仪器的探棒不知道是否会受影响
A一般指标到175°C，没有问题
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Q开关频率比较高如何测量
A 优化测试系统和夹具，降低杂散，提高带宽
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Q第三代半导体有哪些规格？
A很多。主流SiC在1700V，100A以内，GaN在650V，100A以内
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Q宽禁带可以做到多少开关频率？
A看开关速度，几十上百K，
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Q共模和差模的信号在仪器上如何划分的
A 不看仪器，看被测信号，是否有端接的共模电压
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Q宽禁带半导体温度可以做到多少？环境温度有哪些局限？
A 不同厂家不同
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Q高性能动态参数测量方案相对于静态参数测试有区别？
A 不同的测试原理，测试对象
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Q宽禁带半导体有哪些测试规范？
A IEC,JDEC,国内CASA等也在做
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