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Q贵司的测试方案结果与正式上产线时的实际情况是否有差异？该如何控制？
A首先，作为测试测量公司，一致性和精度是我们的首要目标，这个不用担心，我们也有用户校准流程，可随时进行校准。另一个可能产生变化的因素是三代半导体产业正处在高速发展期，器件也会有一些新技术。测试系统来讲，我们保持主体不变，定制夹具的方法来适应不同器件。
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Q晶圆级测试中的高压打火，是由于什么原因产生的？
A 对于垂直器件来讲，主要是强电场导致的空气电离，对于水平器件，主要是沿面放电现象，沿面放电的临界电场会小于空气电离，所以水平器件的高压测试更容易打火
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Q第三代功率半导体的散热性能提高后，是否可以在一些小的移动终端设计时有效控制工作温度？
A必然的
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Q一般采用哪种探头测试才能真实反馈高压侧Vgs的驱动波形？
A 高共模隔离的探头
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Q器件震荡，主要是哪些因素导致的？
A 很多，杂散参数是主因，和测试系统设计，测试夹具，被测件都有关。因此选取合适的测试夹具可以很大程度降低震荡
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Q用示波器测试第三代半导体的波形，对测试设备有什么要求？另外测试方法有特别的讲究吗？
A 很很多要求，包括测试带宽，探头范围，校准等等，测试方法是双脉冲，具体实施有很多优化细节。可以线下和我们联系
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Q制造工艺的不同是不是代表这测试方法也不同？
A 是的
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Q通过将探头与示波器的电流隔开是不是更有利于进行宽禁带功率测量？
A 不，测量主要考虑的是在保证安全前提下，测量的准，有很多因素，带宽是首要的
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Q宽禁带半导体有哪些应用领域？
A 很多，EV，光伏，5G，请参见前面几页ppt
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Q宽禁带半导体的替代优势和特点有哪些？
A请见前面的ppt
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Q功率器件晶圆级参数测量主要应用在什么场景？
A 主要在器件研发，器件建模，量产和失效分析这些场景下，器件开发和建模需要大量和精确的测量，量产主要是针对已经成型的器件，在出厂前进行的参数测量，以保证器件参数在规格书范围内，失效分析主要是对器件的失效机理和模式进行分析，失效分析除了最基本的电性测试之外，还需要其它很多相关的设备
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Q在宽带隙测量中如何才能实现更高的可见度和电压灵敏度？
A 提升测试带宽和减少震荡是主要的手段
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Q是德全参数自动化测试软件是和仪器一起出售还是需要单独购买的？
A通常一起出售的。有的测试软件可以离线使用，分析数据，比如B1500的Easyexpert
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Q碳化硅场效应管耐压一般可以实现多大？
A 目前主流在1700V以内
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QSIC功率器件对湿度是怎样处理？
A 本系统没有考虑湿度问题
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Q如何表征半导体功率器件的好坏？
A 动静态参数的完全表征
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Q器件震荡主要解决方案？
A 请参见之前回答。主要是系统设计和夹具杂散控制
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QPD1550A是不是可将方案扩展到整个功率模块测试？
A PD1550A本身是测量功率模组的，1360V 1000A，也兼容分立器件测试，目前其分立器件方案暂时没有推出
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Q其静态测试参数可以通过什么来测量？
A B1505，B1506
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Q对小电流测试有哪些要求？
A 注意仪表指标和量程调整，选取合适的模块
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