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Q支持测试的最大的功率器件？
A请参见系统指标，静态最大支持1万伏，1500A，动态PD1500A最大支持1200V，200A，
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Q测试误差可以保证在什么水平？
A 请参见系统指标
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Q影响驱动信号测量的因素有哪些？
A 不测驱动信号，测的是器件和模组特性
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Q高压没火是怎么回事
A 高压打火？器件被击穿了。很多因素，主要跟器件设计相关。本次会议主要讨论测量
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Q关心可过大电流，高温的功率器件
A本次专注测量，建议搜索相应的器件规格
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Q功率半导体器件通常会因为工作电流过大而发烫，有什么解决方案吗？
A 脉冲测试，减轻加热效应
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Q测试SiC器件需要特殊的探头吗？
A 静态主要需要测试夹具和相应开关附件，动态是夹具配合不同的探头。
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QGaN原来常用于射频领域，现在功率变换（电源等）应用也越来越多。应用中两者的测试有哪些不同？
A主要是电压电流和频率范围。射频通常小功率，高频，S参数测量是主要测量项。 功率器件则是静态和开关参数（动态）为主要测量项，S参数用来建模仿真
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QB1505/1506是否还须联合配用其他哪些仪器？
A 取决您需要测试哪些参数，如果静态参数，B1506/1505就可以支持覆盖，如果需要动态参数需要PD1500等；如果封装器件，还需要不同的封装类型夹具，如果在片晶圆参数，还需要高压探针台以及自动测试软件完成。
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Q三代产品的成本有优势吗? 随着普及 成本会下降?
A 目前相比硅基没有，但未来会越来越有优势
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Q如果差分探头量程太大是否适合测量小于20v的驱动电压？
A 量程大的话噪声会比较高，测出来的波形不会很干净
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Q是否适用于射频功率器件测试？
A 射频功率器件需要测试的相关参数与电力电子中使用的器件不同，一般是小信号增益，增益压缩，脉冲S参数和负载牵引这些，所需要的测试设备和系统搭建也不一样，不过射频功率器件也会需要进行一些基本的参数测试，以确定和优化工作点
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Q从测试角度说，GaN的驱动电路设计需要注意哪些事项？
A 动态测试系统有专门的驱动电路，不需要自行设计
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Q三代产品目前主要关注功率器件, 对于普通器件有优势吗?
A 看应用领域，在很多领域Si基更优
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QHisunTest 全参数自动化测试软件是支持B1500 B1505吗 包含Easy Expert里哪些测试项呢?
A 支持B1500和B1505A，软件在功能和使用场景定义上与easyexpert不同，主要是控制分析仪和探针台完成自动测试和相关的数据分析，测试界面与B1506A类似，以器件类型和参数类型区分，比如IGBT类型，就包含漏电，击穿，饱和压降等CP常用数据和IGBT的常见曲线，类似于easyexpert里边已经定义好的application test
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Q三代产品在效率方面有很大优势,在开并速度和搞干扰方面,相比硅器件有优势吗?
A开关更快。抗干扰得看设计
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Q测试时如何计算损耗？
A 参见前面的ppt，有公式
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Q宽禁带具体是批哪些方面?
A就是禁带宽度高，物理化学上的定义
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Q在功率应用的GaN选型方面，如何测试评价不同厂家的GaN器件？
A 静态和动态参数
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Q第三代功率半导体与上一代的主要区别在哪里？
A 高频高速，耐压，热传导率，导通电阻等
- 0306召开 适合物联网和可穿戴设备的“小型锂离子二次电池”
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