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Q目前市场主流的第三代功率半导体品牌有哪些？
A国内外都有， 建议自行搜索
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Q功率应用中，SiC和GaN的测量有何不同？
A 跟测试参数和测试封装有很大关系，比如测试夹具，测试驱动电路等都有较大差异
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Q第三代功率半导体的开关速度是多少？
A 快到ns级
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Q第三代功率半导体耐压范围是的多少？
A目前 主流在1700V以下，几个不同级别
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Q针对SIC MOSFET驱动器测试时如何准确测试这类信号？
A话题比较大，很多方面，可以线下联系我们
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Q是德科技有提供GaN和SiC器件级的测试平台（或整体测试方案）吗？
A 本次材料就是。但注意一点，动静态测试时两套系统，无法合二为一，因为测试原理上不同。
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Q功率半导体测试的难度难点主要有哪些？
A 请参见后面的ppt，再详细的可以和我们取得联系
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Q分立元件和模块的测试方法是一样的吗？
A同类分立元件与模块在测试参数上有很多一致的地方，比如静态参数，曲线，热阻，开关时间和损耗等，但是由于功率容量不一样，需要的测试设备和对应的测试治具也不同
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Q第三代半导体材料都有哪些？
A主要 SiC，GaN，还有ZnO,金刚石等
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Q第三代功率半导体的功率损耗主要出现在哪些环节？
A 和Si基一样，都是开关损耗、驱动损耗，传导损耗
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Q第三代功率半导体器件是否也还有哪些性能短板？
A 有个别问题，比如阈值飘移，电流崩塌等，瑕不掩瑜
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QGaN和SiC器件的特性不同，那在选型时该考虑哪些因素？
A 看应用，目前SiC更偏重功率，GaN更偏重频率
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Q以GaN和SiC为代表的第三代功率半导体有什么优异的性能？
A 请参见前几页ppt
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Q测试准确高压侧驱动信号是不是会受到带宽限制？
A 是，这是测试动态系统必须需要考虑的问题
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Q有推荐的型号么？ 10ns以下的开关速度，电压电流高点的。
A 是德专注测量
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Q第三代半导体功率器件设计仿真时需要考虑哪些环境因素？
A 建议联系我们设计仿真软件工程师
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Q高性能动态参数测量方案相对于静态参数测试有什么优缺点？
A 是两套系统，原理和测试对象都不一样，不能作对比。不过有部分共同测试项，比如Qg, IV等，各有特点，建议线下咨询
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Q晶圆级功率半导体测试需要哪些必备的仪器配置？
A 看测试应用和测试项目，针对研发和器件建模，一般是大功率探针台，功率器件分析仪等精度高，配置灵活，功能扩展性强的设备，对于量产测试，可以选器件分选的设备和全自动探针台，以提升测试效率和产能
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Q功率器件晶圆级测试完整解决方案，包括哪些组成部分？
A 主要包含大功率探针台，测试仪表和自动测试软件，基于测试项目的不同，搭配的仪表也会有所不同
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Q驱动波形怎样测试？有哪些常见不好的现象？
A 系统测试的是器件，不测驱动。驱动电路已考虑众多因素，当然也会针对一些特殊器件做定制优化
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