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第三代半导体功率器件测试完整解决方案 2022-06-21 10:00:00
  • Q目前市场主流的第三代功率半导体品牌有哪些?

    A国内外都有, 建议自行搜索

  • Q功率应用中,SiC和GaN的测量有何不同?

    A 跟测试参数和测试封装有很大关系,比如测试夹具,测试驱动电路等都有较大差异

  • Q第三代功率半导体的开关速度是多少?

    A 快到ns级

  • Q第三代功率半导体耐压范围是的多少?

    A目前 主流在1700V以下,几个不同级别

  • Q针对SIC MOSFET驱动器测试时如何准确测试这类信号?

    A话题比较大,很多方面,可以线下联系我们

  • Q是德科技有提供GaN和SiC器件级的测试平台(或整体测试方案)吗?

    A 本次材料就是。但注意一点,动静态测试时两套系统,无法合二为一,因为测试原理上不同。

  • Q功率半导体测试的难度难点主要有哪些?

    A 请参见后面的ppt,再详细的可以和我们取得联系

  • Q分立元件和模块的测试方法是一样的吗?

    A同类分立元件与模块在测试参数上有很多一致的地方,比如静态参数,曲线,热阻,开关时间和损耗等,但是由于功率容量不一样,需要的测试设备和对应的测试治具也不同

  • Q第三代半导体材料都有哪些?

    A主要 SiC,GaN,还有ZnO,金刚石等

  • Q第三代功率半导体的功率损耗主要出现在哪些环节?

    A 和Si基一样,都是开关损耗、驱动损耗,传导损耗

  • Q第三代功率半导体器件是否也还有哪些性能短板?

    A 有个别问题,比如阈值飘移,电流崩塌等,瑕不掩瑜

  • QGaN和SiC器件的特性不同,那在选型时该考虑哪些因素?

    A 看应用,目前SiC更偏重功率,GaN更偏重频率

  • Q以GaN和SiC为代表的第三代功率半导体有什么优异的性能?

    A 请参见前几页ppt

  • Q测试准确高压侧驱动信号是不是会受到带宽限制?

    A 是,这是测试动态系统必须需要考虑的问题

  • Q有推荐的型号么? 10ns以下的开关速度,电压电流高点的。

    A 是德专注测量

  • Q第三代半导体功率器件设计仿真时需要考虑哪些环境因素?

    A 建议联系我们设计仿真软件工程师

  • Q高性能动态参数测量方案相对于静态参数测试有什么优缺点?

    A 是两套系统,原理和测试对象都不一样,不能作对比。不过有部分共同测试项,比如Qg, IV等,各有特点,建议线下咨询

  • Q晶圆级功率半导体测试需要哪些必备的仪器配置?

    A 看测试应用和测试项目,针对研发和器件建模,一般是大功率探针台,功率器件分析仪等精度高,配置灵活,功能扩展性强的设备,对于量产测试,可以选器件分选的设备和全自动探针台,以提升测试效率和产能

  • Q功率器件晶圆级测试完整解决方案,包括哪些组成部分?

    A 主要包含大功率探针台,测试仪表和自动测试软件,基于测试项目的不同,搭配的仪表也会有所不同

  • Q驱动波形怎样测试?有哪些常见不好的现象?

    A 系统测试的是器件,不测驱动。驱动电路已考虑众多因素,当然也会针对一些特殊器件做定制优化