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Q一般为多大的共模电压？
A 看管子，几百到上千。动态测试系统PD1550A可支持1200V以内
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Q功率半导体的功率损耗会随电流和温度增大而增大吗？
A看是什么损耗。开关损耗一般不会。传导损耗要看Rdson，这个参数和结温有较大的相关性尤其GaN
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Q高速开关、高压、高流一般指多大以上的值？
A 高速一般ns或者几十ns量级，高压高流没有有明确界限，SiC目前器件大部分器件在百伏到千伏，几十安培，都可算作。
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Q第三代功率半导体在新能源汽车上有什么应用？
A 电机驱动器，逆变器，DC-DC converter等
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Q晶圆级测试完整解决方案主要在哪些应用上使用？
A 晶圆级测试一般是指在wafer上进行相关特性的测试，大部分的半导体器件都会进行晶圆级测试，搭配不同应用的探针台和测试仪表，可以做器件特性测试，器件建模，失效分析，晶圆出厂测试等应用
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QGaN和SiC器件的测试是一样的吗？
A 不一样，电压，电流，开关速度等，决定测试参数、配置、夹具都会不一样
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Q第三代半导体功率器件测试需要用到哪些仪器？
A 静态参数，如B1505，06，动态参数PD1500，PD1550
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Q第三代半导体功率器件测试前需要先仿真吗？
A 测试不需要仿真。设计需要
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Q第三代半导体功率器主要测试那些指标？
A 测试的指标与器件类型有关，并且跟si的差别不大，都是静态参数，曲线，开关参数，热阻，寄生参数，安全工作区等，但是在一些跟器件材料和制程有关的测试上不太一样，比如GaN的电流崩塌效应测试，SiC的BTI测试，以及新的SiC 阈值电压测试标准
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Q测试方案主要是实验室测量还是产线测量？
A 本次主要是实验室和研发测量
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Q高压打火是什么现象？
A 在做器件耐压测试的时候，能明显的看到芯片上有电弧或者空气电离的现象，打火会导致器件损坏或者测试结果出现异常
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Q第三代半导体功率器件和硅器件测试有什么不一样？
A测试系统不一样，主要在动态参数测试。硅基通常不测，或者不进行准确测试，但SiC必须侧
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Q共模抑制比为多少?
A PD1550A的高隔探头么？看频段，大概在90~110dB量级
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Q功率器件的适用控制频率范围在多少？
A 这个要看应用，车载高转速电机的开关频率就比较高
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Q功率器分析仪可以联网吗？
A 可以支持来自网线的远程指令控制
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Q是德是否有碳化硅器件相关的PCB设计设计指导文件？
A 没有。是德科技专注测试测量领域
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Q以GaN和SiC为代表的第三代功率半导体，相对于传统的工艺的功率放大器，散热上有多大的改进效果，是否因为采用的GaN和SiC工艺使得S参数变差
A 1.散热有较大改进，一是导通电阻小，本身发热低，而是材料热导率高，容易散热，三是击穿电压高，体积小，也利于散热 2.S参数的好差能理解为频率响应好坏？三代频率更高，意味着频响曲线的频率范围更广，设计时更需要考虑高频特性
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Q共模电压导致的误差到底有多大？
A 如果没有共模抑制的话，非常大，通常是原始电压量级。在有共模隔离探头的情况下，主要看共模抑制比。抑制比足够的话会抑制到mv量级
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QSIC的高频特性是怎样的？有曲线图吗？
A 高频主要指开关速度快，上升时间Tr和打开时间Ton到ns量级。
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Q目前有跟多少家新能源汽车厂商合作？比亚迪，长城？
A 建议和我们销售代表取得联系
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