Image
第三代半导体功率器件测试完整解决方案 2022-06-21 10:00:00
  • Q一般为多大的共模电压?

    A 看管子,几百到上千。动态测试系统PD1550A可支持1200V以内

  • Q功率半导体的功率损耗会随电流和温度增大而增大吗?

    A看是什么损耗。开关损耗一般不会。传导损耗要看Rdson,这个参数和结温有较大的相关性尤其GaN

  • Q高速开关、高压、高流一般指多大以上的值?

    A 高速一般ns或者几十ns量级,高压高流没有有明确界限,SiC目前器件大部分器件在百伏到千伏,几十安培,都可算作。

  • Q第三代功率半导体在新能源汽车上有什么应用?

    A 电机驱动器,逆变器,DC-DC converter等

  • Q晶圆级测试完整解决方案主要在哪些应用上使用?

    A 晶圆级测试一般是指在wafer上进行相关特性的测试,大部分的半导体器件都会进行晶圆级测试,搭配不同应用的探针台和测试仪表,可以做器件特性测试,器件建模,失效分析,晶圆出厂测试等应用

  • QGaN和SiC器件的测试是一样的吗?

    A 不一样,电压,电流,开关速度等,决定测试参数、配置、夹具都会不一样

  • Q第三代半导体功率器件测试需要用到哪些仪器?

    A 静态参数,如B1505,06,动态参数PD1500,PD1550

  • Q第三代半导体功率器件测试前需要先仿真吗?

    A 测试不需要仿真。设计需要

  • Q第三代半导体功率器主要测试那些指标?

    A 测试的指标与器件类型有关,并且跟si的差别不大,都是静态参数,曲线,开关参数,热阻,寄生参数,安全工作区等,但是在一些跟器件材料和制程有关的测试上不太一样,比如GaN的电流崩塌效应测试,SiC的BTI测试,以及新的SiC 阈值电压测试标准

  • Q测试方案主要是实验室测量还是产线测量?

    A 本次主要是实验室和研发测量

  • Q高压打火是什么现象?

    A 在做器件耐压测试的时候,能明显的看到芯片上有电弧或者空气电离的现象,打火会导致器件损坏或者测试结果出现异常

  • Q第三代半导体功率器件和硅器件测试有什么不一样?

    A测试系统不一样,主要在动态参数测试。硅基通常不测,或者不进行准确测试,但SiC必须侧

  • Q共模抑制比为多少?

    A PD1550A的高隔探头么?看频段,大概在90~110dB量级

  • Q功率器件的适用控制频率范围在多少?

    A 这个要看应用,车载高转速电机的开关频率就比较高

  • Q功率器分析仪可以联网吗?

    A 可以支持来自网线的远程指令控制

  • Q是德是否有碳化硅器件相关的PCB设计设计指导文件?

    A 没有。是德科技专注测试测量领域

  • Q以GaN和SiC为代表的第三代功率半导体,相对于传统的工艺的功率放大器,散热上有多大的改进效果,是否因为采用的GaN和SiC工艺使得S参数变差

    A 1.散热有较大改进,一是导通电阻小,本身发热低,而是材料热导率高,容易散热,三是击穿电压高,体积小,也利于散热 2.S参数的好差能理解为频率响应好坏?三代频率更高,意味着频响曲线的频率范围更广,设计时更需要考虑高频特性

  • Q共模电压导致的误差到底有多大?

    A 如果没有共模抑制的话,非常大,通常是原始电压量级。在有共模隔离探头的情况下,主要看共模抑制比。抑制比足够的话会抑制到mv量级

  • QSIC的高频特性是怎样的?有曲线图吗?

    A 高频主要指开关速度快,上升时间Tr和打开时间Ton到ns量级。

  • Q目前有跟多少家新能源汽车厂商合作?比亚迪,长城?

    A 建议和我们销售代表取得联系