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Q请问一下何为裸片，是不进行封闭的器件吗？
A 裸片指的未进行封装的晶圆或die。
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Q车载充电器（On-board Charger）、高压DC-DC转换器、辅助逆变器（Auxiliary Inverter）和牵引逆变器（Traction Inverter）这些多是自己研发吗？
A我们公司提供相关方案。
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Q双面散热功率模块是否也能适用于水冷方式呢？
A 可以。
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Q双面散热 还需要其它附加的散热方式吗？
A双面效果好的话不需要。
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Q如何做到驱动波形好 杂感小
A画PCB的时候注意尽量将驱动信号和跳变信号避开。
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Q逆变器是整个提供吗？抗震动性能如何。
A我们只提供应用方案。
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Q在设计逆变器时IGBT会受哪些因素而被击穿
A关断时尖峰电压太高或者功耗太大导致热失效
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Q双面散热的模块还需要增加其他的散热器件吗，是不是本身的封闭已经可以满足使用的要求？
A双面散热模块的两面都需要直接接触散热片，是需要借助外部散热系统的，相较于传统单面模块，体积更小，散热效率更高。
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Q贵公司是提供整体方案吗？
A我们公司提供围绕元器件应用的整体方案，如车载充电机，车载DC/DC方案等。
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Q贵公司的车载充电器的转换效率怎么样？
A目前我们有一个3.3kW的车载充电机方案，整机的转换效率可以达到95%。后续会再开发一个更大功率的方案。
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Q抗静电性能有无高保障？
A 是的，所有产品均能满足标准所需的抗静电要求。
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Q安森美半导体IGBT产品的最高输入电压多大？
A目前我们汽车级的主流是1200V和650V。
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Q第三代IGBT工艺接近世界顶尖水平, 不知道还有什么方面的优势和缺点
A对于IGBT而言，我们应用时，除了击穿电压以外，主要关注的是开关损耗和导通损耗。我们第三代IGBT与行业最先进的技术相比，开关损耗和导通损耗接近。
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Q650V的器件越来越成熟，那600V产品会不会被淘汰？600V产品还有哪些优势吗？
A一些600V的产品某些参数会略好于650V的产品，可以根据自己的需求选择相应的器件。
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Q能快速应用到其他IGBT上吗
A请具体说明下应用条件
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Q最大能驱动多少功率的IGBT
A取决于系统的电压的实际的电流，以及散热情况，目前量产的IGBT单管有650V/160A的产品。
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Q温度因素对igbt有什么影响
A 结温过高会损坏器件。其次温度会影响到IGBT的压降，开关门限电压，开关损耗等。
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Q在特殊场合两个igbt是否可以并联使用？会出现什么后果
A可以的。 对于大功率的应用，比如牵引力电机驱动，很多客户是采用6-8个IGBT并联应用的，这种情况下对IGBT参数的一致性要求比较高，甚至有客户要求供应商根据一致性筛选或者分类。
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Q怎样才能有效的降低整流器的开关损耗
A对于整流器而言，开关损耗和导通损耗是一对矛盾的参数。 如果只是针对开关的应用，可以选择Hyperfast/Stealth系列产品。
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Q最大能驱动多少A的IGBT
A这取决于电压和封装，目前量产的单管TO247封装，我们最高有650V/160A的产品。双面散热的模块可以到650V/800A的半桥。