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Qpower Clip mosfet的做dcdc转换时功率最大可到多少
A 在我们demo上测得的最高效率超过90%
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Q请问一下，双单管方案的效率和损耗与双管方案有差别吗？哪 个更好一些？
A 如果在相同的MOSFET情况，双管方案要好一点。但通常单管方案的MOSFET可以选Rdson更低的。
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Q可扩展封装是什么意思呢
A 意思是后续的封装发展可以集成更多的power clip mosfet。
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Q低压分立mosfet的低寄生电感的感值最小是多少？
A 寄生电感更封装有关系。就这个PowerClip双管的寄生电感应该在1nH左右
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Q新工艺是否改善了导通阻抗呢？
A powerclip的技术只是封装上的进步，单就Mos本身而言，导通阻抗没有什么改变
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Qpowerclip双面布板的优势主要体现在哪些方面？
A 双面布板能够缩短电流路径，减小寄生参数，减小封装尺寸。
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Qpowerclip的双管和单管有多大的区别？
A powerclip技术不能使用在单管方案上面
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Q请问双管产品有哪几种与其他厂家兼容的封装？
A 目前，各家的双管产品都不互相兼容
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Q是否还有必要在应用中采取哪些外部的保护措施？
A 可以视情况采取一些外部保护措施
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Qpowerclip是否可以应用在航空领域，如果可以，需要注意什么？
A 军事航空领域对器件的可靠性要求较高，需要注意器件是否满足军规，以及应用是否满足Fairchild的相关政策。
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Qmosfet器件除了应用在电机，还可以应用在什么领域？
A电源等，MOS用途非常广，功率MOS通常用作功率开关
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Q其底部的散热面积是否有精确的散热公式？
A 抱歉，没有。只有散热面积的大小。
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Q请问从胶片中看到30%负载比50%负载的损耗小，为啥效率反而低于50%？
A 效率曲线与系统设计相关，一般系统设计会将最高效率点优化在50%负载。
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Q新封装在降低功率损耗方面采用了那些新技术？
A 采用了Fairchild最新的mosfet晶圆技术，clip的连接方式减小了寄生参数，更薄的封装设计减小了热阻。
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Q请问不对称半桥datasheet(比如说FDMS3620S)中的RDS(on)测试条件是4.5V VGS，实际使用中VGS为10V，RDS(on)会减少到多少？
A 可以参考datasheet中的Rds-on与Vgs的对应曲线。
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Q在pcb布线中大电流走线，元件引脚的铜皮比连接到该引脚的铜皮走线要细很多，这种情况对芯片性能会有什么影响？
A 芯片的引脚相对于铜箔来说肯定会细一些，一般是曾扇面形，但是芯片的引脚距离很短，所以它的寄生参数很小可以忽略，耐电流能力也没问题
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Q请问胶片里损耗测试中mosfet的外部驱动电阻选取多少？
A 0ohm
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Qpowerclip双管可抑制次级电压尖峰。在实际应用中可采取哪些额外措施来抑制次级尖峰？
A 可以添加缓冲吸收电路，或者放慢开关速度均可
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Q这个仿真软件是什么呢？开放的可以用么？
A 今天展示的波形都是实测波形，没有用到仿真软件
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Q双面布板是指可以两边可以散热么？还是说内部的结构了，不是很懂
A 双面布板指的是内部连接方式，而不是两边散热。Fairchild的双面散热技术叫做Dual cool，part number后面带DC的就是双面散热型。
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