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用于电源和电机控制应用的高度集成MOSFET解决方案 2016-05-12 10:00:00
  • Q您好,由于我不是做电源管理这一块的,我不太懂电源功率密度为什么这么看重,是为了降低功率损耗嘛?

    A 因为这样体积就可以做小

  • Q在抗冲击方面有什么突破??

    A 目前mosfet的通用工艺有平面型与沟道型两种,平面型的抗冲击能力比较强,沟道型的开关特性较优。

  • Q路径变短和,布线面积在简化中是不是要增加散热面积?都 为了降低散热?

    A 是的,减小导通损耗,降低热的产生。

  • Q有无价格优势?投资费用是否大幅提升?

    A 价格上面差不多,不会有大幅提升

  • QPowerClip双面布板能不能防止静电放电对MOSFET器件带来的损害呢?

    A 是否对防静电有好处,我这边还没具体的数据。但是一般器件体积越小,越容易受静电损坏

  • QMOS管的效率跟控制的频率有关?跟管子本身的构造的关系大吗?同样的电路选用不同的管子是不是会有不一样的效率?

    A 损耗越小,效率越高。损耗跟电压、电流以及工作频率有关系。不同的关系各个参数不同,效率肯定会有差异

  • Q双管设计的优势比较多。那在布线和使用时有需要注意的事项吗?

    A 双管设计可以减小layout面积,提升系统功率密度。布线时,应尽量减小环路面积。并联使用时,需注意开关速度的一致性。

  • QPowerClip封装主要用于功率开关管?可以应用在碳化硅或者氮化镓器件吗?

    A 理论上都可以。PowerClip只是封装。

  • Q单个封装的占位面积是多少?

    A 针对power clip技术,我们有不同的封装大小,比如3×3,3×5,5×6等。

  • Q两个功率MOSFET怎么样相互补偿改善功率密度呢?这两个功率MOSFET是对称还是非对称,各有什么优劣之分呢?

    A 我们有对称的方案,也有非对称的方案,针对不同的应用,不同的占空比

  • Q目前还存在哪些问题??

    A 没有问题,非常好,欢迎试用

  • QPowerClip双管的优势是什么?

    A •高侧源极和低侧漏极内部通过铜条连接 –减小高侧源极电感 –减小低侧漏极电感 –更小的电压过冲 –减小电磁干扰 – •倒装芯片–低侧MOSFET 源极朝下 –更好的热传导- 大面积源极区域可以焊接到地焊盘 –更小的低侧源极电感 –更好的开关性能 – •单个封装中集成半桥MOSFET –提高开关性能 –减小占位面积 –简化 PCB布板

  • QPowerClip双面布板是该方面第一次试用吗?有没有更好的方案?

    A 首先是Low side Mosfet采用了Flip Chip技术,使得power Clip双面布板成为可能,这都是Fairchild成熟的技术

  • Q目前提供几种封装形式?

    A 有3*3,5*6,3*5等封装形式

  • Q在同步BUCK整流中 ,mos管的损耗怎么样?下管会不会发热呢?

    A 下官会发热的啊。具体损耗要看你应用条件。管网上有我们的哦AN-6005

  • Qpower Clip mosfet的开关频率范围以及适用范围?

    A 如PPT里所说,最高有用到1MHz

  • QMOSFET器件对于温度很敏感,那么PowerClip双管相比于其它封装技术,热传导作用到底改善了多少呢?

    A 你可以通过热阻这个参数做对比。

  • Q是否也存在哪些性能短板呢?

    A 两个MOS共用一个封装散热,功率大了可能不行。

  • Q3*3和5*6哪个更好呢?

    A 系统设计时具体选用哪种封装与开关频率选择,功率密度要求,散热设计等有关。

  • Q我由于是做功率MOS器件的,就我专业知识来讲,由于胡正明教授提出了FinFET技术,很大程度改善了器件开关速度,从而降低开关损耗,这点我也发了几篇文章,然后我们那器件层次来讲我们可以设计SOI型器件,这本身就可以起到非常好的隔离寄生作用啊,然后您组装之后又说降低寄生作用,我不太理解

    A 我们这里介绍的Mosfet是用于功率传输或者功率转换的,可能跟您以及胡教授的研究不太一样(以我的理解,你们主要是信号转换和信息处理,需要很高的开关速度,但是电流很小)。 我们的集成产品,降低了寄生参数(主要是寄生电感),能有效的降低电压尖峰以及所占用的PCB面积