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Q您好，由于我不是做电源管理这一块的，我不太懂电源功率密度为什么这么看重，是为了降低功率损耗嘛？
A 因为这样体积就可以做小
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Q在抗冲击方面有什么突破？？
A 目前mosfet的通用工艺有平面型与沟道型两种，平面型的抗冲击能力比较强，沟道型的开关特性较优。
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Q路径变短和，布线面积在简化中是不是要增加散热面积？都 为了降低散热？
A 是的，减小导通损耗，降低热的产生。
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Q有无价格优势？投资费用是否大幅提升？
A 价格上面差不多，不会有大幅提升
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QPowerClip双面布板能不能防止静电放电对MOSFET器件带来的损害呢？
A 是否对防静电有好处，我这边还没具体的数据。但是一般器件体积越小，越容易受静电损坏
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QMOS管的效率跟控制的频率有关？跟管子本身的构造的关系大吗？同样的电路选用不同的管子是不是会有不一样的效率？
A 损耗越小，效率越高。损耗跟电压、电流以及工作频率有关系。不同的关系各个参数不同，效率肯定会有差异
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Q双管设计的优势比较多。那在布线和使用时有需要注意的事项吗？
A 双管设计可以减小layout面积，提升系统功率密度。布线时，应尽量减小环路面积。并联使用时，需注意开关速度的一致性。
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QPowerClip封装主要用于功率开关管？可以应用在碳化硅或者氮化镓器件吗？
A 理论上都可以。PowerClip只是封装。
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Q单个封装的占位面积是多少？
A 针对power clip技术，我们有不同的封装大小，比如3×3，3×5，5×6等。
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Q两个功率MOSFET怎么样相互补偿改善功率密度呢？这两个功率MOSFET是对称还是非对称，各有什么优劣之分呢？
A 我们有对称的方案，也有非对称的方案，针对不同的应用，不同的占空比
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Q目前还存在哪些问题？？
A 没有问题，非常好，欢迎试用
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QPowerClip双管的优势是什么？
A •高侧源极和低侧漏极内部通过铜条连接 –减小高侧源极电感 –减小低侧漏极电感 –更小的电压过冲 –减小电磁干扰 – •倒装芯片–低侧MOSFET 源极朝下 –更好的热传导- 大面积源极区域可以焊接到地焊盘 –更小的低侧源极电感 –更好的开关性能 – •单个封装中集成半桥MOSFET –提高开关性能 –减小占位面积 –简化 PCB布板
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QPowerClip双面布板是该方面第一次试用吗？有没有更好的方案？
A 首先是Low side Mosfet采用了Flip Chip技术，使得power Clip双面布板成为可能，这都是Fairchild成熟的技术
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Q目前提供几种封装形式？
A 有3*3,5*6,3*5等封装形式
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Q在同步BUCK整流中 ，mos管的损耗怎么样？下管会不会发热呢？
A 下官会发热的啊。具体损耗要看你应用条件。管网上有我们的哦AN-6005
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Qpower Clip mosfet的开关频率范围以及适用范围？
A 如PPT里所说，最高有用到1MHz
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QMOSFET器件对于温度很敏感，那么PowerClip双管相比于其它封装技术，热传导作用到底改善了多少呢？
A 你可以通过热阻这个参数做对比。
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Q是否也存在哪些性能短板呢？
A 两个MOS共用一个封装散热，功率大了可能不行。
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Q3*3和5*6哪个更好呢？
A 系统设计时具体选用哪种封装与开关频率选择，功率密度要求，散热设计等有关。
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Q我由于是做功率MOS器件的，就我专业知识来讲，由于胡正明教授提出了FinFET技术，很大程度改善了器件开关速度，从而降低开关损耗，这点我也发了几篇文章，然后我们那器件层次来讲我们可以设计SOI型器件，这本身就可以起到非常好的隔离寄生作用啊，然后您组装之后又说降低寄生作用，我不太理解
A 我们这里介绍的Mosfet是用于功率传输或者功率转换的，可能跟您以及胡教授的研究不太一样（以我的理解，你们主要是信号转换和信息处理，需要很高的开关速度，但是电流很小）。 我们的集成产品，降低了寄生参数（主要是寄生电感），能有效的降低电压尖峰以及所占用的PCB面积
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