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Q请问一下这种双管集成的产品在价格方面与单双单管方案有差吗？从器件价格来说。
A 可能价格略有优势。主要体现在PCB布线面积的节省。
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Q你们的功率损耗只是一个产品的对比图，为什么不跟采用其他封装技术的产品对比呢？这样才能让人直接看到器件到底改善没？
A 器件的封装特性还与系统设计有关，不同的封装特点可以让其适用于不同的应用场合。
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Q现在业界MOS管的最高耐压是多少V？仙童的高压MOS管能到多大的耐压能力？
A 目前业界最高做到1200V。Fairchild推出的mosfet耐压最高为1000V。
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Q器件的响应时间有无特色优势？
A 没有对这方面有什么特别的优化
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Q最后的解决方案里提到的散热的几个改善方法里哪个是最关键的？
A Power Clip以及Low side Mosfet的Flip Chip技术
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QMOSFET器件的应用范围有哪些呢？
A MOSFET一般用在开关用，应该范围很广，通常电源里都需要。
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Qpowerclip在哪些情况下容易导致器件宕机？
A 宕机跟MOS的封装没太大关系。注意焊接的时候不要上下管短路。
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Qpower Clip 双管的方案，体积小，器件少，成本也下来了么？
A成本上基本一致
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Qpowerclip与普通的mos管有很大的区别吗？优势在哪？
A Fairchild提供了高度集成MOSFET的解决方案，在一个优化了的Powerclip封装中集成了分立MOSFET 。这种解决方案可以减小器件连接中的寄生电感，缩小产品尺寸，也改善了EMI表现，同时简化了PCB布板。热性能也通过一个先进的封装设计而大大提高。
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Q两MOSFET是否有参数一致性要求？
A 我们有对称的双管 用在半桥电路。也有不对的双管，用在buck电路。
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Qpowerclip最大的功率支持多少W
A 取决应用环境而定
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Qpowerclip通过什么手段可以降低其发热呢
A倒装芯片–低侧MOSFET 源极朝下 ，封装底端的大面积接地焊盘增强了散热能力，且缩短了向电路板热传递的路径 ，寄生电感小发热也小
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Q新封装是否在解决EMI方面有突破？
AFairchild提供了高度集成MOSFET的解决方案，在一个优化了的Powerclip封装中集成了分立MOSFET 。这种解决方案可以减小器件连接中的寄生电感，缩小产品尺寸，从而改善了EMI表现
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Qpowerclip的效率是有哪些决定的
A powerchip只是封装，它改善MOS的散热条件。另外它减小了封装的寄生参数。
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Q该新器件的失效模式与失效机理主要会有哪些？
A mosfet的失效一般表现为热积累，它与传统的mosfet失效模式一样，主要为过压，过流。
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QPOwerClip 最小的双管封装是什么？能过多大电流，还有耐压是多少呢？
A 如果是内部两个管子用与Buck，HB, SR的应用，最小封装是3.3×5mm 如果两个Mosfet是独立的，能做到1.6×1.6mm
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Q在pcb布线中，最有效果的散热方式如何制作？
A在MOSFET的D和S极尽可能 加大加厚铺铜
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QPOwerClip 的最小热阻是多少？还有最小的导通电阻是多少？
A 不同封装的热阻不同， 另外导通电阻跟电压等级、封装都有关系，例如：FDPC8014AS的两个Mosfet内阻分别为：4.7mohm，1.2mohm 具体的可以看我们的产品介绍资料，以及规格书
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Qmosfet芯片背面的散热pad，如何处理能够有效的与pcb紧密贴合实现散热？
A 经过机器回流焊，手工焊接可能会存在焊接不良的问题
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Q现在还有SOP封装的么，或者是DIP的，这样方便测试
A 有。DIP封装低压用的比较少。
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