-
Q为什么采用双面布板？
A 双面布板能够缩短电流路径，减小寄生参数，减小封装尺寸。
-
Q我看到介绍中，采用PowerClip双管技术的功率级产品似乎不是很多，那么有打算把该技术应用到更多的MOSFET器件中吗？
A 是的，我们正在慢慢丰富我们的产品线，也会把更多更好的Mos放到这种集成方案中来
-
Q散热性能如何？效率能达到多少？
A 散热性能比传统单管有提升，具体的效率还跟系统设计有关。
-
QFDPC8014S应用时的工作频率取多大比较合适？
A 看具体的开关损耗。一般是几百k。
-
Q用于电源和电机的集成应用控制方案里面，MOS管的可选型号多吗？效率是不是都差不多？
A 针对不同的应用电压，我们有一些列的产品，不同产品的参数不同，效率肯定是有区别的
-
Q77度，？ 这么高的温度怎么通过最后的检测测试？
A 结温是150C, 所以77C还有很大的余量
-
Q需要严格的散热措施吗？
A 视具体应用环境而定
-
Q请问一下3X3封闭和5X6封装在选用时有何区别？不同封闭的选择方法是什么？大封装的产品性能会好一点吗？
A 主要是功率大小和参数的区别，大封装的产品能够走更大的功率。 从工艺角度来说，是一样的
-
QPowerClip双管技术能改善MOSFET器件抗电离辐射能力吗？
A 不能
-
Q功率MOS器件本身就可以通过分立栅技术来降低器件开关速度，从而实现高频效应啊，您这个系列想主要突出的是单个MOSFET还是这个电路起到的作用呢？
A 我们的产品是在两个方面都有提升：1.晶圆的技术提升，将低了Rds（on），Qg等参数；2. 封装技术的发展，降低了寄生参数，减小了占用的面积
-
Q使用PowerClip双管封装为什么可以降低次级的电压尖峰呢？是开关速度快了？还是别的原因
A 因为双管封装可以减少寄生电感，从而降低了电压尖峰
-
Q说实话由于我是在高校从事科研，对工艺也只是理论认识，没有实践经验。可否告知您这个产品系列采用哪种封装，封装是单个MOSFET封装，还是这个电路做成智能集成封装呢？
A 我们是采用QFN的封装，现在有单个Mosfet，以及多个Mosfet的产品
-
Q是否也有多种不同的封装形式可供客户灵活选用呢？
A 有3*3,5*6,3*5等封装形式
-
Q使出40A的那个温度 是加了散热片的表面温度还是IC内部的温度？
A 那是壳温
-
QMOSFET器件开关特性是由器件自身设计有关，而PowerClip只是封装技术，那么改善器件自身的开关特性的原理在哪？
A 通过最新工艺减小Qg来提升器件的开关特性。另外，最新的封装技术可以减小寄生参数。
-
Q在热性能方面，如果应用在高频方面，壳温太高会对其它器件有所影响吧？如何处理？
A 壳温只会影响自己，PCB板温度高会影响其它器件。 降低损耗，提供散热条件，比如加风冷，水冷。
-
Q新封装的MOS管在提高散热方面采用了那些新技术？
A 新的封装使用了clip的连接方式，而不是传统的bonding wire方式，能够减小寄生参数和热阻。
-
QPowerClip半桥IC，需要加散热片吗？还是IC底层留大片散热的铜皮就可以呢？
A 不需要加散热片，一般来说通过底层散热即可
-
Q您这个系列主要用在高压还是低压下，据我所知，MOS器件在高压状态下导通电阻太大，导致导通损耗比较大，有点得不偿失吧，也想请问下您一般MOS器件实际应用下工作在最高耐压一般多大
A 这个系列主要用在中低压下。现在MOS器件最高耐压有1500V的，但是电流比较小。
-
Q新的设计比3*3散热要好？主要原因是因为使用了更少了元件？
A 并不能简单的说新的设计比3×3散热要好，它的优势在于减小layout面积，提升功率密度。器件的封装特性还与系统设计有关，不同的封装特点可以让其适用于不同的应用场合。
- 1113召开 以48V电机驱动技术引领绿色创新
- 1030召开 交流/直流电源输入过流和过压保护选型指南