-
QPowerClip封装技术市场上应用的多吗？
A 现在应用比较多。
-
QMOSFET封装在开关频率有什么突破？
A 分立mosfet的封装朝向无引脚，紧凑和3D方向发展。新材料和新生产工艺的出现也让mosfet可以工作在更高的频率。
-
Qpower Clip mosfet的封装小，对于解决电流大散热问题有些什么技巧？
A 首先我们的Clip封装，提升了耐大电流的能力；另外我们的Flip chip工艺更易于封装，且减小了寄生参数，从而降低了震荡尖峰电压
-
Q请问一上前几年推的碳化硅材料，在贵司的产品有应用吗？对于小功率的器件中有使用这种材料吗？
A 我们现在有1200V的碳化硅二极管。小功率器件没见过有使用这种材料。中低压MOS有些用GaN的材料在做研究。
-
QPowerCLIp 双面布板的优势主要体现在那些方面？比一半的管子能减少多大面积？
A Fairchild提供了高度集成MOSFET的解决方案，在一个优化了的Powerclip封装中集成了分立MOSFET 。这种解决方案可以减小器件连接中的寄生电感，缩小产品尺寸，也改善了EMI表现，同时简化了PCB布板。热性能也通过一个先进的封装设计而大大提高。一般来说，可以减少50%的面积。
-
Q是否普遍适用？有无应用局限？
A 普遍应用到半桥，副边整流电路上
-
Q低压MOS管的寄生电容，寄生电感最小去到多少？最高的开关频率是多少？
A 寄生电感与具体的元件型号有关，开关频率的选择还跟EMI特性/磁性元器件/损耗有关，现有的mosfet支持到1MHz是没有问题的。
-
QMOSFET封装是否具备保护功能？
A 目前没有
-
Q现在这种FET方案都应用到了什么场合？效果如何？
A 可以应用于各种在体积上比较苛刻或者噪声比较敏感的场合，对于提升功率密度，减少EMI有非常好的效果
-
Q请问，上升和下降时间为多少？ 尺寸减小，热性能是如何保证的？
A 上升和下降时间参考技术手册。 热性能第一通过封装，第二通过降低MOS的损耗。
-
Q在提高电源效率方面有哪些优势？
A Power clip 产品可以使Vds电压更低，这个可以降低开关损耗。另外与分离器件相比，封装尺寸更小，但是实测壳温基本相同，从中可以看出效率是提升了
-
Qpowerclip的双管封装的主要优势体现在那里？耦合好了？还是主要是减少了面积？
A 占用的PCB面积更小，但是实测温升跟分离的差不多，另外带来的好处是电压尖峰会更低
-
Q你们的FET解决方案中，MOSFET器件最高耐压也就150V，但是很多时候，MOSFET需要使用在高于150V的情况，那么你们有该系列产品没呢？
A 有的，我们有各种电压等级的Mos供您选择，具体可以访问我们的官网www.fairchildsemi.com
-
QPowerClip Dual MOSFET市场上可以买到吗？在哪可以买到？
A 这是我们已经量产的产品，在我们网站上可以查到相关的型号，我们的代理商都可以买到
-
Q有无可靠性高保障？与常规器件相比？
A 与分立器件相比，可靠性会更高
-
Q请问一下芯片低部的大面积焊盘，主要的目的是散热吗？为何不把形状做的规范一些吗？
A 是的，大面积焊盘对散热有非常大的好处
-
QPowerClip Dual MOSFET可不可以申请试用，有网址吗？
A 可以，您可以访问www.fairchildsemi.com
-
Q30VBvdss的低压管子，最大电流去到多少？有双管的封装吗？
A 电流跟封装也有很大的关系，我们一般说最低Rdson有多少。你可以去我们网站根据你的要求来寻找： https://www.fairchildsemi.com/products/discretes/fets/mosfets/#rq=MOSFET_POLARITY=%22N%22%7CMOSFET_BVDSS%3C=250 有双管的封装。
-
QPowerClip封装有没有市场统一化？
A 目前业界很多都有类似的技术
-
QMOSFET新封装的小尺寸化，寄生电容对其影响大不大？
A 封装尺寸的小型化可以提高系统的功率密度，减小寄生参数，其中就包括寄生电容的减小。
- 1113召开 以48V电机驱动技术引领绿色创新
- 1030召开 交流/直流电源输入过流和过压保护选型指南