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Q在选型时该如何平衡越来越大的功率需求和功耗？
A尽量选用新工艺的功率器件，以有效减少conduction loss&switch loss.
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QSiC Short Circuit Withstand Time 多少呢?
A2~3us.
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Qsic驱动改变是否会使得汽车电源的安全性有所提高
A功能安全的加入会使安全性有所提高。
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Q氮化镓在新能源领域有应用需求吗？
A有。
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Qsop封装功率器件的地pad，在手工焊中如何额能有效与板载地平面连接？
A需要有效控制SMT的生产工艺，过程中也可以用超声波检测焊接的效果。
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Q未来安森美的SiC晶圆还有增加处理尺寸的计划吗？
Aonsemi致力于持续提高改进半导体生产制造技术。 预期2025年推出8inch SiC产品。
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Q越大的功耗是否就会带来更高的工作温度？对器件的损耗是否有影响？
A是的。 一般功率器件的rds or vce都是正温度特性，所以通常会造成损耗变大。
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Q对于应用SiC MOSFET 模块来快切负荷电流，常用的散热方式有哪些？
A水冷散热的效果会更好。
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QSiC MOSFET应用650V/1200V 器件反向恢复电流和高浪涌承受能力怎么样，以及最高运行结温可以达到多少度？
ASIC的反向恢复特性特别好。 最高结温可到175度。
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Q安森美如何确保在SiC材料供应链中的稳定性和安全性，特别是在全球原材料供应紧张的背景下？
Aonsemi 收购SiC衬底厂，扩大晶圆产能，致力于垂直整合，为市场和客户保证生产供应, 拥抱SiC新时代。
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Q在SiC衬底生产过程中，安森美采取了哪些措施来减少缺陷和提高良品率？
A主要还是精确管控生产过程中的各项工艺参数。
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Q深沟槽FS7 IGBT相比传统IGBT，在饱和电压和开关损耗降低方面的具体机制是什么？
Atrench工业减少了寄生JFET，VCe更低，multi layer的FS层加快空穴中和速度，降低关断损耗。
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Q散热封装一般放在器件什么位置效率更高？
A散热片上。
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Q高温对IGBT寿命有什么样的影响
A不超过最高结温，就不会有太大影响。
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Q安森美在提升电源模块散热性方面的优势是怎么实现的？
A安森美具有多年直接键合铜生产工艺， 选用不同地掺杂材料提高导热率，如Al2O3, AlN, SI3N4... 安森美致力于开发先进模块封装，如 TCpak，Bpak...顶部散热封装 .... 通过材料工艺和封装技术 提升散热性能
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Q不同的封装对MOSFET的散热效果有不同影响吗？该如何选型？
A是的。 要综合考虑整机系统的结构，生产工艺，成本等因素.
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QM1 1200V系列其导通电阻从12m到160mΩ，为什么差别这么大？与偏置电压有关么
A主要还是内部集成的元胞个数不同。 偏置电压也会影响rds，但不会有这么大影响。
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Q未来IGBT会完全被碳化硅过器件替代吗？
A不会，各取所需，各施展所长，在不同的领域和客户定位中寻求最佳落脚点
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QSiC MOSFET产品最大功率能够达到多少？未来安森美的SiC晶圆还有增加处理尺寸的计划吗？
A目前 已经开发出1700V, 1mohm的产品。必须有的。
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Q选型时，该如何选择基于硅还是碳化硅的功率模块？
A主要还是看电压等级，功率密度，系统整体成本要求等。
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