-
QSiC MOSFET在应用中如何考虑其散热呢？
A通过结构的优化，以及选取合适封装的功率器件来保证其散热效果。
-
Q请问在提高电源寿命上，有那些地方可以优化
A提高效率，优化散热，保证环路稳定性等措施可以优化。
-
Q电源应用方案的主要器件是以sic和IGBT为主吗？
A还有si MOS.
-
Q安森美 SIC 器件如何能够简化拓扑设计，降低损耗，提高功率密度???
A有些高压有三电平拓扑的场合，就可以用两电平方案，有效减少控制的复杂度。
-
QSiC晶圆从150mm升级至200mm，相关的生产设备也要做大改变吗？
A主要是母晶&结晶条件的控制要求会更严格。
-
QSiC器件在高温环境下的长期稳定性测试是如何进行的？有哪些关键测试指标？
A我们会做温度循环&功率循环试验。
-
QSiC MOSFET与硅基IGBT在驱动电路设计上有何不同？安森美提供了哪些设计指南或工具？
ASIC的驱动电压和IGBT差别很大。 我们有一些在线仿真工具，如基于pelcx的温度仿真，也会提供相应的pspice等模型供客户做波形仿真。
-
Q安森美的SiC封装技术如何实现高效的热管理，以满足电动汽车市场对高功率密度的需求？
A单管sic有做顶部散热等新的封装，以有效减少回路热阻。模块部分，有做半桥的单面水冷散热封装，非常利于水冷散热结构.
-
Q使用了散热封装后MOSFET是否需要额外添加散热片提高散热效果
A额外添加效果更好。
-
QMOSFET需要考虑RdsOn吗？
ARdson是Mosfet的重要参数
-
QM3条形元胞结构相比M1六边形元胞结构，在哪些方面显著提升了SiC器件的性能？其内部机制是怎样的？
AM3是SiC外延生产技术M1,M2的更新迭代, 它在减小晶元胞的同时 显著提高了Rdson 降低器件损耗
-
QSic mosfet的导通阻抗随着温度变化吗？
A相对Si材料， SiC的高温特性更加稳定
-
QSic驱动需要负压吗？是否需要驱动保护等？
A是的。 需要做desat等保护。
-
Q对电池充电方面有做哪些保护？
A电池充电时，控制系统应根据电池充电曲线来保障充电过程。放电时，要避免过放。
-
QSiC MOSFET产品最大功率能够达到多少？是否有应用在光伏领域的成功案例？
A目前有做到几百KW的。 目前正在光伏MPPT部分进行推广。
-
Qfs7 IGBT的最低饱和电压为多少，是否能提供相关使用手册
A您看下我们FGY140T120的规格书。
-
Q3. 新推出的深沟槽FS7 IGBT相对于老系列都有哪些亮点
Avce低，eon, eoff低。
-
Q1. SIC晶圆升级后有什么显著的提升项点
A性价比。
-
Q如何评估SiC MOSFET和IGBT在不同负载条件下的能效比，以指导其在电动汽车中的最佳应用？
ASiC 耐高温 高压的特性是IGBT无法比拟的，电动汽车正是这样的环境，我司曾在官网公众号有一专期IGBT/SiC应用比较视频，可以提供更详细地分享
-
QSiC晶圆是不是越大越好？
A不全是，要综合考虑。
- 1113召开 以48V电机驱动技术引领绿色创新
- 1030召开 交流/直流电源输入过流和过压保护选型指南