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Q汽车用器件主要材料是SiC吗？
ASiC目前还是针对OBC/DCDC/Traction等功率应用，其他应用还是以Si为主。
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Q在SiC产品的失效分析中，采用了哪些高级分析技术来快速定位问题原因？
A失效分析会根据故障现象，依次做电气分析，x ray分析，抛片分析并放大后定位故障点，根据内部layout详细推断故障发生的可能性，现场技术人员会根据内部报告进一步现场做verify.
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Q针对电动汽车的不同应用场景（如快充、驱动电机等），安森美如何定制化开发SiC功率模块？
Aonsemi 为空调压缩机， OBC, Traction市场，开发 定制 适合各个应用单元的模块产品
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QM3条形元胞结构相比M1六边形元胞结构，在哪些方面显著提升了SiC器件的性能？其内部机制是怎样的？
A两者的主要差距还是晶元有效面积利用率，进而影响FOM，当然对于其他特性也有影响。
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Q安森美在“From powder to power”垂直整合模式中，具体采用了哪些先进技术来确保SiC材料从粉末到最终产品的品质一致性？
A主要还是全流程的有效管控，以及长期积累的在功率半导体生产智造方面的经验。
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Q如何评估SiC功率模块在电动汽车系统中的热平衡表现，并进行优化设计？
A一般sic模块里面有集成ntc电阻，可以根据内部温度来优化。
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QSiC器件的成本降低策略中，除了晶圆尺寸升级和工艺改进外，还有哪些其他重要因素？
A晶棒，外延等各个环节的垂直整合。
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Q在SiC衬底生长过程中，如何精确控制晶体的生长速率和纯度，以确保最终产品的性能？
A还是要精确管控衬底生长过程中各种工艺参数。
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Q安森美在SiC产品研发中，如何平衡性能提升与成本控制的矛盾？
A主要还是不断提升我们的工艺迭代，以达到性价比最优。
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QSiC器件在高频应用中面临的挑战有哪些？安森美采取了哪些措施来增强高频稳定性？
A高开关速度，必然产生高di/dt,dv/dt带来的各种问题。我们主要还是根据不同应用，优化相应寄生参数。
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QSiC功率模块在电磁干扰(EMI)抑制方面有哪些特殊设计？
A减少封装寄生电感，优化SIC晶元的寄生参数。
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QSiC晶圆在生产过程中，如何减少晶体缺陷并提升晶体质量？
A主要还是要控制母晶&在结晶过程中，有效控制结晶路的各种参数，以减少晶体缺陷。
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QSiC晶圆从150mm升级至200mm，面临哪些改变？
A主要是wafer 尺寸，产线设备，mask等相应变更。
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Q汽车电源方案需要考虑碳平衡吗？
A需要。
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Q安森美SIC模块最大导通电流现在可以做到多少？
A您可以看一下我司的NVR26A120这颗产品。
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Q对于越来越大的功率等级，安森美是怎样解决安全问题的？
A你好，针对有些预驱，电源，马达驱动等芯片，根据不同应用，我们有集成ASlLB to ASILD的功能安全。
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Q更小尺寸的碳化硅的功率模块的散热怎么解决？
A通过结构优化&损耗的优化。
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Q安森美的SiC封装技术如何实现高效的热管理，以满足电动汽车市场对高功率密度的需求？
A针对分离MOS,我司有做顶部散热封装，以有效减少热回路热阻。针对模块产品，我们有做SSC等封装。
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Q安森美产品目前在哪里生产，在大陆有工厂吗?
A安森美半导体 在美国、欧洲、亚洲都有晶圆厂，在中国大陆设有单管、模块封装厂
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Q基于GaN驱动方案，怎么避免刚通电过程中出现打火的现象
A可能还是要分析一下通电过程打火的root cause.