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Q汽车用器件主要材料是SiC吗?
ASiC目前还是针对OBC/DCDC/Traction等功率应用,其他应用还是以Si为主。
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Q在SiC产品的失效分析中,采用了哪些高级分析技术来快速定位问题原因?
A失效分析会根据故障现象,依次做电气分析,x ray分析,抛片分析并放大后定位故障点,根据内部layout详细推断故障发生的可能性,现场技术人员会根据内部报告进一步现场做verify.
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Q针对电动汽车的不同应用场景(如快充、驱动电机等),安森美如何定制化开发SiC功率模块?
Aonsemi 为空调压缩机, OBC, Traction市场,开发 定制 适合各个应用单元的模块产品
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QM3条形元胞结构相比M1六边形元胞结构,在哪些方面显著提升了SiC器件的性能?其内部机制是怎样的?
A两者的主要差距还是晶元有效面积利用率,进而影响FOM,当然对于其他特性也有影响。
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Q安森美在“From powder to power”垂直整合模式中,具体采用了哪些先进技术来确保SiC材料从粉末到最终产品的品质一致性?
A主要还是全流程的有效管控,以及长期积累的在功率半导体生产智造方面的经验。
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Q如何评估SiC功率模块在电动汽车系统中的热平衡表现,并进行优化设计?
A一般sic模块里面有集成ntc电阻,可以根据内部温度来优化。
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QSiC器件的成本降低策略中,除了晶圆尺寸升级和工艺改进外,还有哪些其他重要因素?
A晶棒,外延等各个环节的垂直整合。
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Q在SiC衬底生长过程中,如何精确控制晶体的生长速率和纯度,以确保最终产品的性能?
A还是要精确管控衬底生长过程中各种工艺参数。
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Q安森美在SiC产品研发中,如何平衡性能提升与成本控制的矛盾?
A主要还是不断提升我们的工艺迭代,以达到性价比最优。
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QSiC器件在高频应用中面临的挑战有哪些?安森美采取了哪些措施来增强高频稳定性?
A高开关速度,必然产生高di/dt,dv/dt带来的各种问题。我们主要还是根据不同应用,优化相应寄生参数。
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QSiC功率模块在电磁干扰(EMI)抑制方面有哪些特殊设计?
A减少封装寄生电感,优化SIC晶元的寄生参数。
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QSiC晶圆在生产过程中,如何减少晶体缺陷并提升晶体质量?
A主要还是要控制母晶&在结晶过程中,有效控制结晶路的各种参数,以减少晶体缺陷。
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QSiC晶圆从150mm升级至200mm,面临哪些改变?
A主要是wafer 尺寸,产线设备,mask等相应变更。
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Q汽车电源方案需要考虑碳平衡吗?
A需要。
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Q安森美SIC模块最大导通电流现在可以做到多少?
A您可以看一下我司的NVR26A120这颗产品。
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Q对于越来越大的功率等级,安森美是怎样解决安全问题的?
A你好,针对有些预驱,电源,马达驱动等芯片,根据不同应用,我们有集成ASlLB to ASILD的功能安全。
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Q更小尺寸的碳化硅的功率模块的散热怎么解决?
A通过结构优化&损耗的优化。
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Q安森美的SiC封装技术如何实现高效的热管理,以满足电动汽车市场对高功率密度的需求?
A针对分离MOS,我司有做顶部散热封装,以有效减少热回路热阻。针对模块产品,我们有做SSC等封装。
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Q安森美产品目前在哪里生产,在大陆有工厂吗?
A安森美半导体 在美国、欧洲、亚洲都有晶圆厂,在中国大陆设有单管、模块封装厂
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Q基于GaN驱动方案,怎么避免刚通电过程中出现打火的现象
A可能还是要分析一下通电过程打火的root cause.