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Q芯片内部隔离电压达到多少？
A以AHV85110为例, Viso为5700Vrms
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QALLEGRO采用的是什么隔离方式？
A磁隔离
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Q在Power-Thru技术的设计中，是如何考虑热设计的？
A采用Power-Thru技术的驱动芯片，内部的调制频率是和PWM同步的，所以内部的损耗和频率也是正相关的，比传统的隔离电源供电模式相比效率更高，损耗更小
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Q考虑到电动汽车和清洁能源应用可能面临的恶劣环境，Power-Thru技术的环境适应性如何？
AALLEGRO的针对GaN和SiC的Power-Thru的产品，通过AEC-Q100的车规认证
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Q1. GaN和SIC功率器件的设计选型规则能否讲解一下
A两者都属于第三代半导体，具有宽禁带半导体的高速的优势。具体选型时，可以参考产品的电压和功率等级要求。目前SiC在高压大功率场合应用更成熟，比如1200V,30kW+
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Q隔离式栅极驱动器是贵司专利产品？
A采用Power-Thru技术的隔离栅极驱动器是ALLEGRO的专利
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Q隔离式栅极驱动器产品其它友商是否也有？
A传统的隔离驱动方案，很多友商都有的。Power-Thru技术，目前是ALLEGRO的
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Q怎样解决负压问题？
A针对氮化镓的隔离驱动产品，AHV85111内部集成负压产生电路，引脚配置上有一个负压脚 AHV85110可以通过在外部加一个负压产生电路（4个元件，一个稳压管，两个电容，一个电阻） 这里不能发截图，还有疑问的话，可以发邮件给我们, 谢谢。 xwang@allegromicro.com
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Q在开关速度、可靠性上，氮化镓、碳化硅哪个更具优势？
A在高频的应用场景，GaN会更具优势； 在功率等级上，SiC目前的功率可以做到更大
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QPower-Thru技术是否满足相关行业的安全认证标准？例如，在电动汽车应用中，是否满足汽车行业的严格安全要求？
AAllegro 产品可以达到AEC-Q100 Grade 0 级别以及ASIL-D的最高汽车功能安全级别
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Q哪些因素会增加驱动损耗？
A驱动损耗有开关损耗和高通损耗,在第三代半导体应用中,主要采用高速开关,所以开关损耗变得日益明显. POWER-THRU技术通过高集成度,减少寄生电容及寄生电感,从而减少驱动损耗.
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QPower-Thru 磁隔离技术同时传输驱动信号和开通功率管所需能量，驱动信号的抗干扰能力会受影响吗？
A不会
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Q隔离栅极驱动器产品，最低延时可达到多少？
A100ns以下
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Q采用Power-Thru技术的隔离式栅极驱动器可以替换哪些设计？
A采用Power-Thru技术应用具有广泛的普遍性, 最具优势的应用在高压中大功率需要隔离及复杂的系统上
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Q隔离栅极驱动器的驱动电阻是默认没有在板上的吗，由客户选型再额外焊接进去的吗
A是的，需要外加栅极电阻。AHV85110输出的上拉下拉是分开的，方便客户灵活调整开通和关断的速率
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QPower-Thru技术只用在开关电源吗
AALLEGRO的隔离驱动产品采用Power-Thru的技术，可以应用在电源，电机控制等不同场景
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QALLEGRO公司的隔离式栅极驱动器、隔离式电源和相关无源组件都是车规级的吗？
AALLEGRO的隔离驱动产品集成隔离电源，是车规的
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Q如何获取产品资料及设计指导资料？
A可以上ALLEGRO官网
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QGaN和SiC的驱动能使用相同的栅极驱动器吗？
A对应不同的型号，因为驱动能力和驱动电压会有差异。比如GaN对应AHV85110, SiC对应AHV85311
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Q驱动器可以支持一路最多几个SiC模块进行并联
AAllegro针对SiC的隔离驱动产品型号为AHV85311, 设计的驱动能力为130nC@25V， 具体可以查看对应SiC模块的Qg参数