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QmSiC™ MOSFET 应用场合有耐压要求吗？
A受限于MOSFET的本身的电压等级，比如400V的系统我们会用700V的管子，800V的系统我们会用1200V的管子。
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Q电流大小对熔断的速度有影响吗？电流变化的快慢对熔断的速度有影响吗？
AE-FUSE的动作时间取决于参数设定。分过载保护和故障大电流保护两种。前者保护在ms级，或者的保护在us级。
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Q能替代机电继电器的mSiC™ MOSFET固态断路器（电子熔丝解决方案），能使用低压（数字电路电压）驱动的吗？
A联系Microchip销售代表获得技术支持
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Q电子熔丝的微秒级别比人触电的时间还要短很多吗？
A短很多
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Q电子熔丝可以在微秒级别检测并中断故障电流，是有效值吗？
A是瞬时值
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Q使用碳化硅电子熔丝解决方案的固态继电器，目前有哪些成熟的型号可以使用？
A联系Microchip销售代表获得选型支持
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Q电子熔丝的保护值如何设置？是制造设定的吗
A是通过LIN通讯可以设置的
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QSiC的熔丝提高了反应时间吗
A极大提高反应时间
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Q碳化硅电子熔丝在温度和湿度环境下的使用范围是多少？
A环境温度范围是-40C到+85C，可以根据需要改善散热设计提高其带载能力。
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Q在电子熔丝解决方案中，能否实现远程监控和管理？
AE-FUSE本身是和上位机通过LIN进行通讯的，所以可以实现远程监控和管理
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Q如何确定电子熔丝的更换时间？
A同使用的环境和条件相关。目前的演示版可以工作的环境温度上限为+85C，在目前的散热设计下可以通过电流规格为10A/20A/30A，如果使用条件满足产品手册的要求，则熔丝的更换时间满足其内部所有器件总结的MTBF的时间。
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Q在电子熔丝解决方案中，如何进行热管理？
A请联系Microchip销售代表获得热管理技术支持 基本上Microchip提供整套设计方案包含热管理
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QSiC 电子熔断器常见的的失效模式主要有哪些
A常见的失效模式有：MOSFET失效，采样回路出现偏置或者断开，不能正常驱动，不能正常通讯等等。任何电子产品会产生的问题，E-FUSE都会有概率发生。所以我们建议客户要在完全理解用户手册的内容然后再使用E-FUSE，这样才能保证E-FUSE的正常工作。
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QSiC 电子熔断器是否易于疲衰老化
ASiC电子熔断器恰恰特别抗老化
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Q在“万物电气化”的趋势下，高电压系统的发展现状和前景如何？
A高电压系统发展如火如荼 前景一片光明
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