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Q如果应用在电机驱动桥路上，电子熔丝的直流阻抗和交流阻抗大吗？
A演示板目前只支持直流应用，不支持交流。可以通过对管的拓扑解决双向电流的问题，但是对于MOSFET来讲其导通损耗都是Rdson造成的，Rdson又和结温相关。
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Q电子熔丝的寿命如何评估？焊接的时候需要什么特别处理吗？
A寿命使用和环境和处理的电流相关。焊接要满足各自器件的锅炉曲线即可。
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Q做电磁兼容测试的时候，需要把电子熔丝暂时旁路吗？
A不需要，MOSFET工作在一直导通的状态，并没有开关的动作不会带来大的EMI干扰。
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Q我如果想知道电子熔丝的状态，要怎么去检测它的实时状态比较好？
A通过LIN通讯可以查询到E-FUSE的状态，比如电流幅度，结温，运行时间等等
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Q如果在一个回路上使用了两个同型号电子熔丝，比如在入口和出口各用一个，在过流时会同时熔断吗？
A有机会会同时触发这两个保险丝关断，但因为硬件差异和MOSFET本身的参数差异不会完全相同的动作时间
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Q太快的速度产生的电弧大吗
AE-FUSE这种方案没有电弧产生
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Qsic电子熔丝可接受带多大负载？
A可以带的负载取决于散热设计和系统所在环境温度上限。拿400V 10A的 E-FUSE来讲，如果采用目前的散热设计(自然冷却，散热器体积不变)则在环境温度为85C时可以持续流过电流为10A。如果客户的散热设计有改善或者使用更大规格是MOSEFT，其带载能力可以提升。
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Q400V、800V的场合是车载吗
A是的，但是不限于这种应用。有类似场景的都可以尝试这种方案。
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Q700v-3.3kv是指只适用于该电压范围吗，低电压范围可以使用吗
A700V到3.3kV是指Microchip的SiC MOSFET的产品的电压等级。实际使用中要留有裕量，例如我们使用700V 的管子给400V系统用，用1200V的MOSFET给800V系统用。
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Q碳化硅电子熔丝充当继电器时允许反向电流通过吗？
A演示版不支持双向电流，客户可以根据这种设计思路进行双向对管的拓扑设计。
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Q400V规格的碳化硅电子熔丝的电流范围是多大？
A有10/A/20/30A
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Q碳化硅电子熔丝有使用次数限制吗
A遵循浴盆曲线的原则，跟使用环境和条件相关。
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Q电子熔丝在大功率应用时是否需要加散热片？
AMOSFET在电路接通时是要承受导通损耗的，在关断时则要承受回路杂散电感释放的能量，所以都是需要加散热片进行散热的。只不过客户可以根据自己的需要把E-FUSE方案集成到自己的系统中实现更高的集成度和更大的带载能力。
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QmSiC™ MOSFET的固态断路器作为继电器使用时其导通电阻一般在什么水平？
A不同规格的E-FUSE 我们配备了不同的MOSFET， 具体看我们的用户手册。通常在25C时保持在几mohm到几十mohm之内
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Q碳化硅电子熔丝是否适用于低压或超低压电路？
ASiC MOSFET适合用于高压大电流的场合。低压或者超低压 Si基的MOSFET比较适合。
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Q电子熔丝为什么能避免产生危险的电弧？
A电子熔丝是靠内部的SiC MOSFET进行接通和断开电路的，并不是机械触点，所以在断开的时候能够避免电弧的产生。
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Q在高电压系统中，电子熔丝的能效表现如何？
AE-FUSE的损耗包括:MOSFET的驱动和导通损耗，运放及MCU运行损耗。这里面最大的占比为MOSEFT的导通损耗，且这个损耗同MOSFET的结温及流过的电流相关。以400V 10A的E-FUSE来讲，其结温为125C时流过10A电流，其导通损耗在5W左右。
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Q在电子熔丝解决方案中，如何实现负载平衡功能？
A电子熔丝处理单路负载，不存在负载平衡问题。或者您可以把问题阐述的更清晰一些。
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Q如何检测电子熔丝的失效？
A通过电流采样单元和驱动指令的配合，以及内部的MOSFET结温评估可以检测E-FUSE是否动作正常，或者处于过热，过流状态。
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Q在系统故障情况下，如何恢复电子熔丝的正常功能？
A通过LIN通讯设定故障恢复时间即可恢复E-FUSE的正常功能
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