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Q英飞凌的超低压MOSFET驱动用多少的频率比较合适？
A 一般1Mhz以下，Si MOS都没有问题。在绝大部分应用里，不会达到MOS的开关频率限制，更多的是需要考虑设计需要和开关损耗
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Q英飞凌的超低压MOSFET量产了吗？
A已经量产很久，并且更多新一代产品在陆续推出中。
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Q英飞凌MOSFET现在有SiC MOSFET吗？
A有的，650V及以上电压等级的SiC MOSFET已经上市。
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Q请问有做LED驱动电源的应用案例分享么，多路输出的
A英飞凌有各种LED Driver方案，不过不在今天研讨会讨论范围。
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Q超低压MOS在电源方案中依据哪些设计原则？
A根据应用选取合适型号。
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Q英飞凌MOSFET仿真工具可以和自己的设计产品结合起来仿真吗？
A最好是到Infineon官网下载MOS的仿真模型，然后用自己的软件建模仿真，灵活性更好
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Q低压电机驱动应用需要注意的关键要素？
A 堵转时的大电流，可能的雪崩击穿，热，Vgs误开通
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Q使用寿命长一般依靠哪些手段？
A器件上，选取好的产品。 设计上，做合理的设计。
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Q英飞凌这超低压器件的应用电压极限是多少（高低端）？
A 以规格书极限参数为准。需要注意的是，耐压越低的器件，其极限参数的容差越小
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Q请问一下,MOSFET产品的效率和易用性不能兼得吗?那在成本方面哪个系列的产品更有优势?
A这两方面通常优点跷跷板矛盾。但从成本角度考虑，可选择原来IR产品线的产品系列。
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Q减少发热和损耗，英飞凌有哪些方法？
A提高效率——通过同时减小Qg和Rds(on)来获得更优的品质因素FOM。
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Q在什么情况下，这些MOSFET会产生雪崩击穿呢？谢谢
A 一般当MOS关断时，如果Vds电压不断上升，在超过Vds耐压后的某个电压点会发生雪崩击穿
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Q英飞凌超低压MOSFET的能可靠驱动的驱动电压最低可以到多少？
A如果需要特别低的Vgs电压来驱动，可查看规格书中的Vgs对应的电流导通曲线，并根据散热和效率要求来选择Vgs，一般3.3~5~10V为宜
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Q超低压MOSFET（20-45V）系列是指输入电压范围为20-45V吗？
A这是根据英飞凌产品线而言来定义的，业内并没有严格的划分标准。
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Q为何贵司会采用这么多不同的封装形式? 是和应用的场合或产品有关吗?还是必须不同的封装会带来不同的性能优化?
A是根据不同应用场合而定的。 -有些应用要大封装做散热，如马达驱动等； -有些应用要小封装实现紧凑设计，如充电宝，车充等
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Q英飞凌超低压MOSFET的导通电阻最低可以到多少？
A需要结合电压和封装考虑，但英飞凌MOSFET在这方面总是领先行业。如： 30V，2*2封装，低至3mohm； 40V，3*3封装，低至0.7mohm。
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Q英飞凌这超低压器件是否也有哪些特殊封装形式的呢？
A虽然英飞凌在封装上有不少创新，但都是业内通用封装 - 或者会引领成为业内标准封装。
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Q采取哪些措施来避免仿真失真？
A 更好的器件建模，因为没有理想的器件，都是有寄生电阻电容电感的。同时提取并加入更多的PCB寄生参数，特别的寄生电感。选取更高阶的仿真器核心和器件模型，具体可到Infineon官网了解器件模型信息说明
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Q超低压MOSFET（20-45V）系列支持在线仿真吗？
A 支持的，欢迎前往英飞凌官网使用在线仿真工具。
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Q小封装紧凑设计的缺陷是什么？
A 谈不上缺陷，可能在PCB焊接上会需要考虑下工艺能力。同时在功率应用里，散热是一个需要中点考虑的因素，越小的封装肯定散热要略逊一点
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