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英飞凌20-45V超低压MOSFET:易用质优交期短 2020-04-22 10:00:00
  • Q4. 目前能否批量供货

    A

  • Q超低压MOSFET的高可靠性体现在哪些方面

    A秉承英飞凌产品的高质量高可靠性品质管控。结合不同应用,体现不同。比如,对于马达驱动应用的系列,线性工作能力好。对于多管并联的大电流应用(服务器电源等),体现在英飞凌产品的器件一致性好,等等。

  • QMOSFET能兼容适用于哪些在线设计工具?

    A Infineon官网提供Spice仿真模型,凡能够使用该模型的仿真器均可使用

  • Q超低压MOSFET的发热情况怎么样?

    A英飞凌MOSFET的高效率特性,可以有助于工程师更好地进行热处理。

  • Q超低电压的MOSFET通过哪些方式减小散热?

    A 对于常规封装,主要通过增大散热焊盘来实现,或者在器件Top或PCB背面加散热器

  • Q超低压MOSFET(20-45V)系列的最小封装是多大?

    APQFN2*2

  • Q电源中MOS需要用2个的时候,用什么方法确定2个同批次的MOS性能完全一致?

    AInfineon的一致性在业内是最好的了,能够满足绝大部分的多芯片同时应用的场合。如果对这个一致性有特别高的要求,从原则来讲,要选用同一包装的芯片;并可以对Vth进行测试筛选

  • Q英飞凌超低压MOSEFT的导通电压和电阻是多少?

    A需要根据具体型号来看。

  • Q英飞凌超低压MOSEFT的开关频率范围是多少?

    A 一般1Mhz以下,如果不是必须的话,降低工作频率可降低开关损耗

  • Q请问不同厂家的管子,标称电流电压都一样,损耗却相差大太,是工艺上的问题还是

    A一方面是封装的工艺,另一方面跟封装的散热能力有关,可参考规格书中的热阻特性

  • Q英飞凌超低压MOSEFT的导通电流是多大?

    A有大有小,根据具体应用选择。

  • Q英飞凌超低压MOSEFT的导通内阻值受温度影响大不大?

    A随着Tj的增加,Rds(on)也会上升,这是MOSFET材料特性。每个器件的datasheet会提供这个曲线供设计时候 参考。

  • Q这么小的封装,在散热方面是依靠什么外在帮助的?

    A得益于芯片效率提升,减小器件本身发热和损耗,从而可以实现更小的器件封装。 当然,小封装的应用场合也是受一定耗散功率限制的,需要结合具体应用来选取。

  • Q相关资料可以提供给我们吗?

    A此次在线研讨会所使用的PPT和研讨会的视频将会在活动结束后通过“英飞凌电源与传感社区”公众号分享给大家。

  • Q请问一下,在小批量采购方面,哪些途径是比较好的选择,货期和价格都比较好?

    A小批量购买建议优先考虑英飞凌天猫旗舰店,交期和价格都比较好,且常常会有优惠活动。 如果您所需的产品天猫旗舰店并无售卖,则可以通过英飞凌官网直接下单购买。

  • Q不同的封装外形,是对应的散热考虑么

    A 一方面是散热,另一方面是要承载晶片,Rdson越小的晶片越大,不同的工艺也影响大小,能在3x3里的晶片可能2x2的封装就放不进去了

  • Q为啥不用SiC 呢?

    A SiC先阶段主要是600V以上的,SiC材料在低压应用里,相比Si在性能和成本上都没有大的优势

  • Q请问一下,贵司提供的仿真工具是免费的吗,仿真结果可以免费下载吗?

    A Infineon官网是免费的,但最好是到Infineon官网免费下载器件模型,通过自己的仿真器仿真灵活性更好

  • Q有能用于220V车充的MOSFET吗?

    A当然可以满足,如果针对220vac,可以到Infineon官网选择高压CoolMOS™系列。如果针对低压输出的MOS选择,根据耐压和设计余量,我们有20V~300V的中低压MOS可供选择。具体请到Infineon官网查询

  • Q超低压MOSFET在过测试时,EMI会不会好过,或者难度是增加了还是更容易过

    AInfineon的超低压MOS寄生参数更小,更容易实现小的过冲,这个对EMI是有贡献的,开关速度快慢也有贡献,但这个取决于设计和电路调试。因此如果选择Infineon的超低压MOS,有更好的设计灵活性