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QMOSFET(20-45V)系列在无线充电领域有哪些实用案例?
A在市场上有部分产品选用英飞凌MOSFET,可参考第三方拆解报告。
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QMOSFET(20-45V)系列对损耗的处理有什么优势?
A英飞凌MOSFET通过优化FOM (Qg和Rds(on)),同时降低开关损耗和导通损耗。
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Q超低压MOSFET可以和哪些设计进行兼容?
A 只要耐压满足,各种应用均可使用,其他主要考虑散热
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QMOSFET(20-45V)系列的适用场景有哪些?
A请参阅PPT
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Q超低压MOSFET的交期短是指多久?
A我们已经在相关分销商和线上销售平台建立了库存,预计可以在10周内完成交付。 针对部分英飞凌天猫旗舰店在售的超低压MOSFET, 交期大概是在2周左右。
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Q超低压MOSFET的工作温度在什么范围内?
ATj.max, OptiMOS6 是175度,其它150度。
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Q超低压MOSFET(20-45V)系列能用于家用充电宝吗
A可以。充电宝是一个重要应用方向。
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QMOSFET这个是针对服务器电源,我看它支持的应用挺多的,是什么样的设计才能做出这样的产品
A不同系列,有不同的侧重应用。服务器电源建议选用OptiMOS6以获得高效率。
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Q目前支持的最大输出电流?
AMOSFET的过流能力需要结合封装(体现为热阻)和Rds(on)计算得出。更大电流应用场合,需要采用并联实现。英飞凌MOSFET良好的产品一致性,可以让多管并联更可靠。
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Q导通损耗与开关损耗分别是多少?
A这要结合具体电路来看的。
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Q作为电源使用效率可以达到什么水平?
A这是系统设计上的指标,英飞凌MOSFET可以帮助提高效率,比如服务器电源的钛金牌,适配器的六级能效,等。
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Q作为开关电源应用是否更好处理EMI问题?
A 开关电源相比线性工作模式,其EMI更差。开关的方式,比如软硬开关,直接影响EMI
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Q英飞凌20-45V超低压MOSFET产品兼容性怎么样?
A兼容性好,是这个系列MOSFET一个重要特点。
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Q英飞凌MOSFET(20-45V)系列产品驱动电阻有多少欧姆?
A具体请查阅规格书,每个系列,甚至每个器件都是不同的
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Q英飞凌超低压MOSFET(20-45V)系列输出效率能达到多少?
A 这个与Rdson的选取,以及开关频率有关,需实际测试评估
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Q如何保护mosfet不被高压被损坏?
A 选择合适的耐压,了解系统的裕量,并加适当的吸收电路
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QMOSFET驱动部分PCB板需要怎么走线优化?
A 主要是驱动器的gnd和Vgate环路小,功率MOS的大电流走线粗且短
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Q马达驱动这块如何优化散热?
A 增大焊盘是主要的散热方式,其他可以增加MOS顶部散热器,或PCB背面散热器
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Q原边MOSFET的驱动电路是如何设计的?
A 可Infineon官网查阅相关的MOS驱动芯片做参考
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QMOSFET的驱动电阻选多大比较合适?
A 根据驱动器的驱动能力,EMI效果,以及损耗来考虑,没有给定的数值
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