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Q英飞凌该超低压MOSFET是否SiC?
A是Si
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Q20-45V的MOSFET就能算是超低压系列?没有更低的了吗？
A超低压是根据英飞凌产品线划分为定义的，所以暂时不涉及更低电压等级的器件。
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QSiC的优势主要就是高频高压高功率低损耗吧？
A还要加上高温
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QMOSFET的“超低压”是何等量值概念？
A这是根据英飞凌MOSFET产品线（20V-950V）以及行业习惯叫法来称呼的，没有严格划分标准。
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Q超低压MOSFET是否也有哪些性能短板？
A最主要是要根据应用选择合适型号。
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Q英飞凌该系列产品符合车载可靠性标准AEC-Q101？
A英飞凌有大量车规的低压MOSFET产品，但不在我们今天介绍的产品范畴。
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Q英飞凌超低压MOSFET的失效模式主要是哪项？
A Vgs，Vds过压，过流，过温，以及雪崩击穿
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Q该功率器件有推荐的驱动方案吗？或者驱动芯片的选型推荐吗（不同的应用是否需要不同的驱动芯片，还是说有通用的型号推荐呢）？
A 驱动芯片的需要根据驱动能力和方案来选择。小功率电源一般控制器集成了，大功率应用一般会用到外置驱动，而功率级别差异大就需要选用具有不同驱动能力的器件，没有所有功率段均可满足的驱动。具体可以到Infineon官网查阅相关的驱动器信息
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Q英飞凌20-45V超低压MOSFET的“易用”一说咋讲呢？
A容易调试
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Q英飞凌超低压MOSFET系列产品内部是否带有哪些实用的保护措施？
A没有额外加入的保护措施，更多的是体现在器件严格的质量管控标准。
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Q防静电性能有无高保障？
A这个系列MOSFET没有做特别ESD处理。
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Q能否适用于6-9V低压条件？
A可以
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Q这是碳化硅MOSFET吧？
ASi
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Q对散热有无特殊的严格要求？
A计算结温不超过规格书允许值就可以了。
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Q有无可靠性高保障？MTBF具体水平能有多高？
A器件本身的可靠性依赖于英飞凌严格的质量管控标准。
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Q高压、电压、超低压MOSEFT器件的制造工艺有哪些特色差异？
A 耐压实现，沟道实现上不同，器件结构导致寄生电容大小和特性不一样
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Q这个超低压mosfet 可以做到最大多少A的电流？
A 请到Infineon官网查询，有很详细且方便的信息
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Q这个超低压MOSFET可以承载最大频率多少？
A需要看您的设计追求多高频率。800K-1M的设计很多。
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QMOSFET的频率提升，开关损耗也会提升，温升也会加快，意味着暂载率降低；你们这个超低压MOSFET是如何解决这个问题？
AMOS的损耗来自于开关和导通损耗，如果电路拓扑没有优化，比如软开关来消除部分开关损耗，那这两个损耗就肯定存在。因此需要选取更小的Rdson和寄生电容参数的器件。我们的部分超低压MOS已经是最新的6代工艺，其寄生参数是最低的，从PPT中也可以看出来
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QMOSFET（20-45V）系列如何实现高可靠性？
A秉承英飞凌MOSFET的高可靠性的质量管控标准。
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