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Q英飞凌采用压接工艺，应该比焊接更牢固可靠，接触电阻是否也更小呢？
A是的。焊接更可靠，接触电阻更小。 0.055毫欧以下。
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Q请问哪里可以获得免费的IGBT的开发套件？
A其实天下是没有免费的午餐的，不过联系我们的代理商，也许会有惊喜。
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Q如何选择合适的伺服驱动器
A要根据实际的系统需求。 如有需要可以联系我邮箱：herbert.wang@arrowasia.com
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Q英飞凌收购IR之后，对整个伺服驱动器产品线有什么影响
A英飞凌整合两家产品的优势，对整个伺服驱动器产品线提供更好的服务支持。
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Q目前国内伺服产品与国外伺服产品性能上有多少差距？
A国外以德系和日系，国内技术现在和国外的伺服技术越来越接近了。 但是在大功率的伺服驱动基本上任然国外在人手上 如有需要可以联系我邮箱：herbert.wang@arrowasia.com
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Q英飞凌有多重视这个项目？
A伺服应用是我们现在最重要的项目，因此我们配备了研发团队并提供完整方案。如有技术支持需要请随时与我们联系，谢谢。
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Q四伏驱动器能适应市场吗？
A这本来就是市场驱动
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Q四伏驱动器的主要优势体现在哪？
A主要是控制位置，精度高
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Q适合三电平应用的SiC模块有哪些？sic里面有Mosfet，怎么没有IGBT？
A适合三电平应用的SiC模块有：FS3L30R07W2H3F_B11和FS3L50R07W2H3F_B11。 碳化硅的益处和目标应用： 半导体设计的持续发展趋势，是在降低开关损耗的基础上，提高功率密度， 从而使用更小的散热器，同时提高工作频率，缩小磁性元件尺寸。 SiC MOSFET特点是高温，高压，高频。 另外mosfet是单极性器件，适合应用在高频场所。 IGBT是双极性器件，不适合做高频。
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Q目前英飞凌有1200V的IPM产品吗？
A抱歉！目前还没有。
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Q短路I中要求Tj在整个短路过程中都不超过150℃？ 还是说短路前不超过150℃？
A英飞凌在结温150度下给出IGBT的耐短路时间，这是最严格的条件。 短路过程中IGBT结温会快速上升，所以短路测试是破坏性测试，会对寿命造成影响。
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Q英飞凌的伺服驱动带有哪些保护？
AInfineon磁隔离CLT驱动优势： 1.鲁棒性。 无核变压器(CT)技术已经做好通过严苛认证需求的准备。 英飞凌基于磁隔离技术的驱动芯片，满足SiC开关的更高 性能要求。 2.可靠性。 参数一致性允许尽量小的死区时间设定，从而保证系统线 性化与可靠性。精准的DESAT过流检测确保短路保护的有 效性。 3.灵活性。 EiceDRIVER™ 产品系列具有多样的输入信号配置与灵活 的功能选择，适应不同应用需求。
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Q英飞凌与其他品牌的器件有无应用互换优势？
A有啊，用IGBT 模块设计就有这个优势，英飞凌的每款模块都几乎是行业标准，
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Q单管IGBT是否需要对散热设计有要求？
A为了充分利用IGBT的带电能力，需要设计良好的散热系统。详细方法请见相关应用手册。
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