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Q安森美的IGBT都有哪些封装类型？
ATO247, TO220
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Q安森美的IGBT都有哪些封装类型？
ATO-247 和TO-220，
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Q分立式IGBT的耐过压冲击能力怎么样？
ASuggest designer has to use voltage protection component to protect the IGBTs. Vendors normally build the IGBT with some buffers. However, designer should not consider such buffer as normal operating voltage range.
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Q请问IGBT装散热片，栅源直接电压波形不稳定是为什么？
A可能是Vce 的开关辐射到栅极上，或测试探针的GND没有接好。
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Q选择IGBT主要要考虑哪些参数?
Abasically key parameters need to care for are Power ON loss, power off loss and Vce(sat).
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Q导通关断速度是多少？
A不同的IGBT型号有不同的导通关断速度
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Q安森美有高速IGBT产品么？开关速度是快很多么？实际应用如何？
ABasically, our FS1 - NGTBxxxxFLWG series and FS2 - NGTBxxxxFL2WG series can be used in fast switching applications. The actual switching speed depending on different applications and usage.
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Q额定电流有多少的？
A我们有不同的产品，有不同的电流。15A，20A，30A，40A，50A等
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Q第二代场截IGBT与第一代相比，主要有哪些方面的提升？
A主要提升开关速度和饱和VCE电压。
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Q场截止沟道IGBT有哪些优点？
A开关速度和饱和VCE 电压提升。
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Q场截止型IGBT相比沟道非穿通型有什么优势？
Aswitcing frequency, Vce(sat), switching loss
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Q那种IGBT可以应用于太阳能逆变器？性价比怎么样？
A 包括NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N60FLWG、NGTB50N60FLWG、NGTB30N120FL2、NGTB40N120FL2、NGTB50N120FL2。您可以到公司网站www.onsemi.cn浏览这些产品。性价比高。
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Q场截止沟道IGBT是以后发展趋势吗？
AYes. Other area on future development will be using different material, e.g. SiC and GaN.
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Q安森美的产品相比同类产品性价比更好吗？
AGood Pricing vs Performance factor. Suggest to contact our local distributors for further detail.
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Q技术支持是免费的吗？
A 请联络我们的销售代表或分销商http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/locateSalesSupport.do
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QIGBT的功率损耗为什么比MOSFET小？
A 这不一定的，只有在大电流或高电压的情况下IGBT的损耗才比MOSFET少
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Q600VIGBT应用的单端谐振电磁炉与1200V的半桥型电磁炉能耗上哪种更少？
A可能需要看你选择的不同IGBT，才能决定哪种效率比较高。
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Q在小功率应用中IGBT和MOSFET哪个更好？
AIf operating at low current and not very high voltage, MOSFET may be a better choice. In high voltage operation, the advantage of using MOSFET is not significant.
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Q安森美IGBT是如何做到强耐能量冲击的？
A我们主要在工艺上有专门技术，暂时不能分享具体信息。
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Q电磁感应加热对IGBT有什么要求?
A我觉得主要是比较小的饱和Vce 和 快速关断。另外需要更强大的抗冲击能力。
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