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Q场截止沟道IGBT硅面积的减小会不会出现过热失控的故障？
AYes. And the UIS (avalanche energy) is also a key concern. Besides, driving circuits and the co-pack diode will also affect the IGBT overall performance.
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QIGBT未来发展方向是什么？
A发展沟槽工艺和运用新的材料如GaN。
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QIGBT的保护电路如何设计？有没有专门的保护芯片？
A1，保证驱动电压不能超过门极电压。 2，最好有负电压关断，可提高效率。 3，我们有驱动电路MC33153。
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Q场截止型IGBT有什么特点？
A开关速度更快，导通损耗更小。
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Q场截止沟道IGBT与非 场截止沟道IGBT价格上怎么样？
A非场截止沟道不会有新的发展，可能会慢慢被淘汰。
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Q晶圆厚度每年都在减小吗？晶圆厚度的减小对IGBT的性能有什么影响？
A 开关性能提升
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Q这个PPT能够下载吗？链接能够提供一下吗？想收藏备用
APPT会于21ic网站回放。请到网站重温。谢谢!
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Q第二代IGBT相比第一代IGBT最大的不同点是什么？
AThinner wafer so that the Vce(sat) and switching performance had been improved.
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Q如何降低IBGT的能量损耗？
A 从驱动电路及散热方面考虑
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Q电磁炉的单端谐振和半桥谐振哪种top结构用的比较多？
A单端比较多。
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Q都有哪些封装形式?
A:(TO-247 和TO-220)
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Q什么是场截止型IGBT，第一代场截止型IGBT和第二代的区别是什么？
A区别：第二代改善了开关特性和饱和Vce。
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QIGBT的拖尾电流改如何解决？
A要从驱动电路上解决
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Q安森美IGBT与其他相比为何导通损耗相差很多？
ANeed to improve the driving circuit.
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Q什么是分立式IGBT？
AEither single IGBT or single IGBT with Co-pack diode in one package.
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Q沟道截止性IGBT开关速度、损耗怎么样？
A损耗会比传统的小，具体可能需要看具体规格。
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Q如何判断IGBT的好坏?
A 因应应用上的要求，当中的考虑如温度、最高功率、开关损耗等。
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Q多个IGBT并联使用时应该注意什么？
A最好保证每个驱动电流基本相同，主电流回路阻抗基本相等。
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Q以前用IGBT一旦死区控制不好就会短路损坏，现在做了哪些改进呢？
A原来的是非沟槽工艺，拖尾电流比较大，当死区比较小时，可能会同时导通，导致损坏。现在有沟槽工艺，改善了开关速度。
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Q分立式IGBT的耐短路电流能力怎么样？
Awe have 5us and 10us series.
- 0425召开 采用革命性的栅极驱动器技术简化并加速高功率 GaN 和 SiC 系统的实现
- 0306召开 适合物联网和可穿戴设备的“小型锂离子二次电池”