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Q使用安森美的IGBT对工程师有哪些要求？
A 跟市场上的IGBT供货商差不多
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Q设计的电机驱动电路的开关器件是IGBT模块，经常出现IGBT CG极击穿现象，GE极没事，可能是什么原因？
A同时导通电流过大，电机在刹车时，反压太高。
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QIGBT高频模块和低频模块在通用变频器上使用有什么区别？
A现在IGBT有不同种类，有的适用高频，有的适用低频。
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Q分立式IGBT有哪些优点？
Adesign flexibility. However, when it comes to parallelling the IGBTs, it requirement a lot of design effort.
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Q如何降低开关损耗及电导损耗的？
A提高驱动电流和关断电流，如有可能用负电压关断最好。导通损耗主要有IGBT型号决定的。
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Q是否有详细的产品应用资料？
A 请到我们的网站www.onsemi.cn浏览，或直接联络我们的销售代表或分销商http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/locateSalesSupport.do
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QIGBT能一直保持导通吗?
A 看电流大少，温度不超过就可以了。
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Q有没有相关的应用文档？
Ahttp://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND9068-D.PDF http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND9052-D.PDF
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Q产品价格如何？
A 性价比高
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Q安森美IGBT是否已经应用到实际生产中？
A 是的
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Q如何联系咨询产品相关问题？
A 你可直接联络我们的销售代表或分销商http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/locateSalesSupport.do
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Q栅极电容的大小对IGBT的性能有什么影响？
Aimpacting the switching speed. Hence the power loss of the IGBTs.
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Q二代器件的温漂如何？
AVce(sat) change @ different temp is smaller than other suppliers.
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Q哪里可以下载本次研讨会的演讲资料么？
A 演讲会于21ic网站回放。
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Qmosfet应用于哪些方面，IGBT可以完全代替mosfet吗
A太阳能，电磁炉，ups，变频器等。不可以，小功率MOSFET有优势。
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Q安森美的IGBT产品目前市场应用情况如何？
A在电磁炉，UPS 和太阳能电源有大量使用。
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Q安森美IGBT的功耗是多少？
A不同封装有不同的功耗。具体看规格书。
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Q电磁炉中使用的IGBT是多少伏的？
A有600V，和1200V。
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QFS IGBT与传统IGBT相比有哪些进步？
A改善了开关速度和降低饱和Vce。
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Q主流的晶圆厚度是多少？
A600V, 70-75mm
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