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Q中低压MOSFET相较于普通MOS除了功率上的差别还有哪些优势
A安世半导体的LFPAK的优势：散热更好，寄生参数更小，pin脚更加稳固，内部芯片的热分布更均匀，等等
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Q同步整流控制器在哪个具体产品中已有应用案例
A充电器、适配器、工业辅源等，需要反激电路拥有较高的电源转换效率的应用场合，同步整流控制器都已经普遍应用。
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Q强电转弱电的电源方案，采取哪种成本低安全高效
A根据你的电源功率范围，采用BOOST+QR或Totem Pole+LLC
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Q安世半导体也是芯片设计生产原厂吗
A您好，是的
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Q氮化镓FET如果G端悬空，它是处于OFF状态还是ON状态呢？
A如果无VDS电压，G端悬空，氮化镓FET处于OFF状态；如果VDS施加电压，会通过GD端电容给GS电容充电，超过门槛电压时，从而开通，氮化镓FET处于ON状态，但这是非常危险的；正常我们应用GAN FET时，要避免GAN FETG端悬空， 应在GS端并联电阻10K~20K 欧姆的电阻。
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Q安世有支持PD快充的电源控制器产品吗
A安世有全套的PD快充电源控制器，包括反激原边控制器，反激副边控制器，PD接口芯片，PFC控制器等。您有具体的需求可以进一步联系安世的代理商或是销售。
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Q对于同步整流控制器可以的应用案例有哪些
A充电器、适配器、工业辅源等，需要反激电路拥有较高的电源转换效率的应用场合，同步整流控制器都已经普遍应用。
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Q氮化镓场效应管是否会发生雪崩击穿？在最大耐压值左右区域，漏电流的变化与MOSFET差异大吗？
A氮化镓场效应管不像MOSFET 具有体二极管，不会发生雪崩击穿。超过最大耐压值20%~30%，MOSFET会发生雪崩击穿，漏电流会快速增加，但GaN 达到最大耐压值2~3倍时，漏电流才会快速变化，击穿器件。
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Q中低压的MOS看起来封装比较特别，能和市场常用的进行直接替换吗？
A可以的，LFPAK56和LFPAK33都可以和市面上常见的5x6和3x3 作P2P的替换。
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Q多个GaN可以并联吗？均流怎么做？
A功率器件的并联问题很常见，常见的作法有采用同一批次的器件、采用对称结构的layout，采用相似的散热方案等，可以参考我们为MOSFET并联所推出的短视频https://www.bilibili.com/video/BV1Z14y1Y78Q/?spm_id_from=333.999.0.0&vd_source=1395ef48ab83bfc8f2f999eb128742ce
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QNexperia氮化镓场效应管是否需要在栅极串联铁氧体磁珠？
A可以的，利用磁珠来减少谐振，在我们的TO-247中有集成一个小小的磁珠。当然如果你需要外置的话，尽量把他靠近栅极。更多相关内容可以参考我们的application note，AN90006.
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QGaN HEMT在硬件设计上需要注意哪些方面，有没有推荐文档参考？
A我们有应用手册供客户参考，详细描述应用安世的GaN HEMT需要注意点，Link:https://www.nexperia.com/products/gan-fets#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=
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Q医疗设备领域有推荐的反激控制器么
ANEX808XX系列就非常适合高可靠性场合的医疗电源。具体需求可以直接联系安世的销售或是代理商。
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Q针对提高电源效率，安世做了哪些控制逻辑设计？
A同步整流防丢波，原副边驱动电路优化。主要是这两点。
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Q电源控制器具备那些安全保护功能？
AOCP/OPP/OTP保护/cs短路保护/SR短路保护/输出过压欠压等保护，芯片还集成brown in/out和Line ovp功能
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Q能生成需要变压器得参数吗
A我们有EXCEL的设计工具，客户输入SPEC，即可得到变压器的参数。您有具体的需求可以联系安世的销售和代理商。
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Q开关频率可以做到多少
A看你的电路设计、功率器件的损耗能否接受、最终产品的设计等等等等，影响开关频率的设定因素太多了
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Q安世官方商城可以买到样品吗？
A您好，是的，且在https://www.nexperiastore.cn/sample.html专区可以买到最多5个line*10pieces的免费样品，欢迎选购。
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Q 控制器能否匹配驱动其他厂家的氮化镓产品？
A可以。无论是友商的E-mode还是D-mode GaN，我们都可以适配。当然，我依然建议您优先考虑安世的氮化镓产品。
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Q芯片过热保护有哪些措施？
A非常好的问题。通常大家都是用OTP来做温度保护。但是我们发现很多高密度电源由于散热条件不好，芯片会很容易碰到OTP。所以安世的解决方案是使用倒封的封装形式，相同条件下，对比友商，可以多忍耐25度才触发OTP。