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Q中低压MOSFET相较于普通MOS除了功率上的差别还有哪些优势
A安世半导体的LFPAK的优势:散热更好,寄生参数更小,pin脚更加稳固,内部芯片的热分布更均匀,等等
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Q同步整流控制器在哪个具体产品中已有应用案例
A充电器、适配器、工业辅源等,需要反激电路拥有较高的电源转换效率的应用场合,同步整流控制器都已经普遍应用。
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Q强电转弱电的电源方案,采取哪种成本低安全高效
A根据你的电源功率范围,采用BOOST+QR或Totem Pole+LLC
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Q安世半导体也是芯片设计生产原厂吗
A您好,是的
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Q氮化镓FET如果G端悬空,它是处于OFF状态还是ON状态呢?
A如果无VDS电压,G端悬空,氮化镓FET处于OFF状态;如果VDS施加电压,会通过GD端电容给GS电容充电,超过门槛电压时,从而开通,氮化镓FET处于ON状态,但这是非常危险的;正常我们应用GAN FET时,要避免GAN FETG端悬空, 应在GS端并联电阻10K~20K 欧姆的电阻。
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Q安世有支持PD快充的电源控制器产品吗
A安世有全套的PD快充电源控制器,包括反激原边控制器,反激副边控制器,PD接口芯片,PFC控制器等。您有具体的需求可以进一步联系安世的代理商或是销售。
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Q对于同步整流控制器可以的应用案例有哪些
A充电器、适配器、工业辅源等,需要反激电路拥有较高的电源转换效率的应用场合,同步整流控制器都已经普遍应用。
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Q氮化镓场效应管是否会发生雪崩击穿?在最大耐压值左右区域,漏电流的变化与MOSFET差异大吗?
A氮化镓场效应管不像MOSFET 具有体二极管,不会发生雪崩击穿。超过最大耐压值20%~30%,MOSFET会发生雪崩击穿,漏电流会快速增加,但GaN 达到最大耐压值2~3倍时,漏电流才会快速变化,击穿器件。
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Q中低压的MOS看起来封装比较特别,能和市场常用的进行直接替换吗?
A可以的,LFPAK56和LFPAK33都可以和市面上常见的5x6和3x3 作P2P的替换。
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Q多个GaN可以并联吗?均流怎么做?
A功率器件的并联问题很常见,常见的作法有采用同一批次的器件、采用对称结构的layout,采用相似的散热方案等,可以参考我们为MOSFET并联所推出的短视频https://www.bilibili.com/video/BV1Z14y1Y78Q/?spm_id_from=333.999.0.0&vd_source=1395ef48ab83bfc8f2f999eb128742ce
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QNexperia氮化镓场效应管是否需要在栅极串联铁氧体磁珠?
A可以的,利用磁珠来减少谐振,在我们的TO-247中有集成一个小小的磁珠。当然如果你需要外置的话,尽量把他靠近栅极。更多相关内容可以参考我们的application note,AN90006.
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QGaN HEMT在硬件设计上需要注意哪些方面,有没有推荐文档参考?
A我们有应用手册供客户参考,详细描述应用安世的GaN HEMT需要注意点,Link:https://www.nexperia.com/products/gan-fets#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=
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Q医疗设备领域有推荐的反激控制器么
ANEX808XX系列就非常适合高可靠性场合的医疗电源。具体需求可以直接联系安世的销售或是代理商。
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Q针对提高电源效率,安世做了哪些控制逻辑设计?
A同步整流防丢波,原副边驱动电路优化。主要是这两点。
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Q电源控制器具备那些安全保护功能?
AOCP/OPP/OTP保护/cs短路保护/SR短路保护/输出过压欠压等保护,芯片还集成brown in/out和Line ovp功能
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Q能生成需要变压器得参数吗
A我们有EXCEL的设计工具,客户输入SPEC,即可得到变压器的参数。您有具体的需求可以联系安世的销售和代理商。
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Q开关频率可以做到多少
A看你的电路设计、功率器件的损耗能否接受、最终产品的设计等等等等,影响开关频率的设定因素太多了
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Q安世官方商城可以买到样品吗?
A您好,是的,且在https://www.nexperiastore.cn/sample.html专区可以买到最多5个line*10pieces的免费样品,欢迎选购。
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Q 控制器能否匹配驱动其他厂家的氮化镓产品?
A可以。无论是友商的E-mode还是D-mode GaN,我们都可以适配。当然,我依然建议您优先考虑安世的氮化镓产品。
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Q芯片过热保护有哪些措施?
A非常好的问题。通常大家都是用OTP来做温度保护。但是我们发现很多高密度电源由于散热条件不好,芯片会很容易碰到OTP。所以安世的解决方案是使用倒封的封装形式,相同条件下,对比友商,可以多忍耐25度才触发OTP。