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安世半导体高功率密度氮化镓产品和电源控制器,为工业电源和快充应用注入优异性能 2024-06-05 10:00:00
  • Q反激控制器的PWM频率最大可达多少Hz?

    A目前我们的市售版本最大170kHz。我们保留了一些option,如果客户如果希望挑战更高工作频率的设计,也是可以支持的。

  • Q安世是哪个国家的公司,在大陆有工厂吗?

    A您好,安世总部位于荷兰,我们在德国汉堡、英国曼彻斯特拥有晶圆厂,以及在中国广东、马来西亚芙蓉和菲律宾卡布尧有三个封测中心。

  • Q在中负载或轻负载情况下的效率能到多少

    A利用合理的降频曲线提高效率,可以满足各种能效标准

  • QESD静电防护有哪些措施?

    A主要形式是TVS管

  • Q副边MOS的电压能压低多少?

    A副边MOS电压应力最大的worst case是高压启动和短路,我们对比友商基本上可以压低10V以上。

  • QAC-DC非隔离有应用GaN HEMT吗

    A有应用在图腾柱PFC,交错式图腾柱PFC,桥式整流PFC应用 和Flyback反激电源应用场景的650V Cascode GAN FET 和E-mode GAN FET 功率器件

  • Q同步整流控制器是用的哪种整流方式?

    AVg预调模式

  • Q安世半导体高功率密度氮化镓产品和控制器使用什么控制接口?

    A氮化镓产品通过驱动芯片和控制器连接使用,正常的5V/3.3V TTL/CMOS 电平接口都可以。

  • Q安世半导体高功率密度氮化镓产品和控制器,若可以使用单片机控制,是否需要中间缓冲部件适配驱动信号?

    A安世半导体高功率密度氮化镓产品,跟正常的MOSFET产品应用相同,通过驱动芯片信号与单片机控制信号连接使用。

  • Q反激控制器案例最大效率达多少?

    A65W 普通可以达到94%

  • Q在人工智能和云计算上贵司半导体应用情况如何?

    A例如今天提到的GAN和AC-DC控制器,在AI和Cloud上是以电源的形势展现的。当然还有其它很多器件如小信号分立器件和逻辑器件,也可以使用在新一代的板卡上。

  • Q图腾柱PFC需要经过哪两个元器件?

    A4个器件都要经过的,比桥式PFC少。

  • Q安世的氮化镓器件有仿真模型吗?

    A安世的氮化镓器件有仿真模型可以用于支持客户做设计评估

  • Q安世半的氮化镓产品,在进行打开关断时,是否会产生抖动信号?

    A会呀,回路的寄生参数都或多或少会产生这样的问题。

  • Q安世半导体高功率密度氮化镓产品,是否支持申请样品? 如果可以申请样品,如何申请?

    A您好,请联系销售或通过我们的授权分销商进行申请,也可以登录我们的官方线上商城进行购买:https://www.nexperiastore.cn/

  • Q安世半的氮化镓产品,在长时间大电流场合,是否需要增强散热?

    A任何功率器件都需要呀,所以在PPT里提到了我们的cascode GaN FET采用顶部散热结构,允许更大的散热片来增强散热能力,

  • Q安世半导体高功率密度氮化镓产品,是否有车规级的产品?如有,是哪些系列或者型号?

    A有车规级产品,GAN039-650NBBA、GAN039-650NTBA,GAN014-650NBCA,GAN014-650NTCA等系列产品

  • Q电源控制芯片的同步整流控制器使用时,还需要其他驱动么,是否可以单独使用?

    A反激电路使用同步整流控制器时,不需要其他驱动,可以直接驱动同步整流MOS

  • Q考虑替换设计,NEXPERIA的氮化镓FET,引脚可以兼容标准的MOSFET吗?

    A我们的GAN FET有不同的封装,比如cascode gan主推CCPAK,可能无法兼容大部分常见封装,也有TO-247的产品,这个可以兼容。emode GAN采用DFN和WLCSP封装,也能兼容一部分。

  • Q5、氮化镓器件的驱动电路需要另外设计吗?

    A看你之前用的什么设计,理论上是需要的,因为太快的didt和dvdt会造成一些影响,可以联系我们为你设计和参考。