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Q宽VCC输入，省掉了外部的LDO，这个确实挺好的。但是在20V输出的时候，SSR芯片会不会太热呢？充电器外壳内的温度很高，我们之前就有客诉说芯片过热保护了。
A安世特有的FCOL封装技术可以显著提升芯片的散热性能，在20V满载输出时，在触发芯片热保护而重启之前可以允许工作在比友商更恶劣的环境温度下。
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Q副边同步整流控制器对系统效率是否有改善？
A有，其中一个改善点是解决了轻载丢波，确保了轻载同步整流MOS正常导通，提高了轻载效率
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Q在低压器件的应用中，GaN能带来多大的收益？
A我们做过对比，以100V的器件为例，我们的GaN的FOM值是同等级性能最优的硅mos的1/5
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Q为什么安世的Cascade GaN的反向导通压降会比SiC甚至eGaN更低？
A当电流由器件的S极流向D极时，串联的si mos体二极管会导通，压降小于1V。我们看Cascade器件的结构会发现这个电压会加在DGaN的门极上，即VGS_dGaN=Vsd; 此时DGaN导通，所以Cascade GaN可以在续流的时刻走更大的电流。
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QCascade GaN的开关频率是否会受串联的Si mos制约，无法在1M以上的开关频率工作？
A我们在实验室中测试过更高的开关频率，Cascade GaN仍然能正常工作。目前制约系统开关频率的主要因素不在GaN器件，例如磁性器件的高频损耗问题。在现有条件下，安世Cascade氮化镓结合先进的CCPAK封装，可以获得极低的关断损耗，帮助客户实现高效高密的设计目的。
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Q1. 请问安世半导体的GaN HEMT在电源设计中具有哪些优势，如何提高电源效率和功率密度？ 2. 在中低压MOSFET产品中，安世半导体采用了哪些技术来降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体电源性能？ 3. 对于反激控制器和同步整流控制器，安世半导体如何确保其在不同负载条件下的稳定性和可靠性？
A3. 对于反激控制器和同步整流控制器，安世半导体如何确保其在不同负载条件下的稳定性和可靠性？ Vg预调方式，精准关断，实时采样，适用于不同负载以及控制方式
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Q安世半导体有氮化镓模块吗？
A您好，目前没有。
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Q安世电源控制器芯片使用上使用和其它厂商如TI有无大的差异?
A控制逻辑上我们做了很多的优化设计，保证了电源效率更高，副边同步整流MOS上的应力更小，可靠性更高。和友商的差异点在视屏中也都有展示
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Q目前工业电源面对突发断电有哪些常用的应急方案？
A
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Q提供整体方案是什么意思，安世可以提供电源板吗？
A安世工程师可以按照客户的spec，提供完整的电源参考设计，方便客户快速安全的完成整个电源设计。安世不销售电源板，安世可以提供电源方案。
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Q同步整流控制器如何降低电源系统中的能量损耗？
A利用MOS Rdson小，Isk∧2×Rdson这个损耗会远比二极管损耗小很多
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Q安世电源控制器芯片性能是否是行业第一梯队？
A非常自信的说，是！欢迎选用试用！您有具体的需求可以联系我们的销售或是代理商渠道。
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Q氮化镓在电源上只能用智能充电器吗
A不会呀，任何功率应用都可可以使用氮化镓器件，只是需要大家在性能和价格找到平衡。
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Q在快充应用中，安全性是用户非常关心的问题。安世半导体的氮化镓（GaN）产品和电源控制器在过流保护、过压保护和过热保护等方面有哪些安全措施，以确保快充系统的安全可靠运行？
A我司芯片有OCP/OPP以及OTP保护，保证过流跟过热问题，芯片还集成brown in/out和Line ovp功能，保证系统输入欠压跟过压问题。
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Q在设计高功率密度的电源系统时，电源控制器的选择至关重要。安世半导体的电源控制芯片（如反激控制器和同步整流控制器）如何支持高集成度和灵活性，以满足不同应用场景下的复杂需求？
A安世半导体的电源控制芯片有为氮化镓推出专门优化的版本，比如反激纯QR控制器，我们有高频率的130k/170kHz两个版本。PFC控制器，我们有135k Hz的版本。这些高频版本都可以支持到更高功率密度的设计。我们的控制器还优化参数，可以帮客户节省BOM元器件，提高电源方案集成度。同时我们的控制器有很多不同的code版本供客户选择，客户可以灵活选择各种保护功能，驱动电平，保护阈值等参数，保持了很高的灵活性。
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Q安世半导体氮化镓F方案是行业领先吗
A是的，找我们就对了
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Q4. 电源控制系列芯片都可应用在哪些类型的电源方面
A充电器，适配器，工业辅源，工业电源等应用参合都可以使用安世的电源控制系列芯片
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Q2. 针对服务器电源是否有冗余保证服务器不断电的方案
A那是不间断电源UPS的事情了，针对UPS，安世也有很多推荐产品哦，可以联系我们工程师进行沟通。
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Q反激控制器应用是否给到客户端比较详细的应用案例？
A我们已经针对主流应用规格，做出了各种参考设计应用电路。如果对我们的应用案例感兴趣，可以直接联系安世的代理商或销售。我们会提供进一步的支持
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Q2、氮化镓器件驱动为什么需要注意负压？
ACascode GaN 由于结构是串联LV MOSFET，只需要0V电压关断，不需要负压； 但是E-mode GaN 需要注意负压主要有两方面原因：1是开通门槛电压比较低，容易受干扰造成误开通；其2是门极承受的最大负压值只有负几伏电压，所以要注意负压。