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QE-Fuse 可以在故障消失后在线重置吗？
A可以
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QSiC 电子熔断器可以防雷击吗？
A防雷击等级跟半导体器件相关，具体看选用的半导体器件技术手册
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QSiC 电子熔断器寿命可以达到什么水平？
A和选择的半导体器件一致，具体看选择的半导体器件手册
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Q在电动汽车的应用保护方便逐渐才用这种SIC了吗
A现在800V系统逐渐开始使用SiC器件
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Q可配置和诊断功能在E-Fuse中扮演了什么样的角色？
A回答: 可配置：就是可以根据需要进行过载电流和故障电流水平的设置，也可以设定触发方式是边沿触发还是电平触发。同时可以感觉散热方式配置散热参数。这样方便客户把这个方案集成到自己的系统里。 诊断功能：可以通过上位机看到E-FUSE目前的环境温度、MOSFET的工作结温、负载电流水平、故障记录和通讯是否正常这些状态。方便进行状态跟踪和维护。
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Qsic器件价格成本是否会很高？
A回答：这个是目前用户比较关注的问题。我们的角度是不要单单只关注到SiC器件带来的成本提升，要从系统上进行考虑。E-FUSE的本身是可以取代断路器+熔断器两个器件的。在实际应用中，通常还会有个保险丝盒来装配这两个器件。另外从长期的应用来看，E-FUSE是可以免维护的。断路器或者熔断器断了，炸了，维护起来就会比较麻烦。而E-FUSE是可以在线可恢复的。这样是不是也节省了很多人力和物力的成本？
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Q5. eFuse 电子熔断器目前都有哪些具体型号芯片可供选购
A回答：E-FUSE目前微芯的DEMO板包括400V/800V级两种产品。电流能力在10A/20A/30A。这是在目前DEMO板的散热条件能力下，注意是自然冷却，同时环境温度定义为85C时的通流能力。具体可以选购的型号有：SiC MOSFET，单片机强电侧PIC16F15345,弱电侧：PIC10F322，LIN通讯：ATA663211，驱动芯片:TC4432, LDO: MCP1793/1792，运放MCP6022等产品。
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Q目前在大陆有哪些主要客户?
A回答：目前我们看到的是汽车电子领域和电力系统对高压大电流的应用比较感兴趣。很多客户也认为这是未来的一个应用趋势。
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QSiC 电子熔断器是否适用于恶劣环境？
A回答：我们E-FUSE的DEMO板是没有防护等级的，也就是依靠用户的防护。这也符合大多数客户的诉求。通常E-FSUE是集成在客户的系统中，这样E-FUSE本身对环境的耐受度取决于客户本身的防护设计。
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Q电子熔断器可以重复使用多少次？
A这个方案是纯半导体器件，可以重复使用。跟半导体器件寿命一样。
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QSiC 电子熔断器是否具备熔断报警功能？
A有
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Q熔断发生后，多长时间恢复？
A响应时间可到微秒级。恢复时间根据系统检测需要多长时间来确定。
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QE-FUSE需要做散热处理吗？
A一般不需要。
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Q电子熔断器是否易于疲衰老化？
A回答：如果和断路器和熔断器对比，电子熔断器具有免受振动，环境腐蚀，触点氧化和熔融的风险。是会大幅度提高可靠性的，这就是E-FUSE之所以得到应用的原因之一。E-FUSE更准确的描述应该是电子继电器或者固态继电器。
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Q电子熔断器是否也有快速与延迟之分？
A回答：电子熔断器是有TCC曲线的，TCC就是Time Current Curve的缩写。也就是针对不同的负载电流有不同的响应时间。针对故障电流诸如短路，反应时间在us级别，针对过载电流响应时间也会有几百ms和几个ms的区别。所以要看具体的处理电流的水平。E-FUSE融合了断路器和熔断器的特征，同时提供免维护的优点。这使得E-FUSE在实际应用中有很大优势。
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Q请问一般选用时会留多大的余量
A回答：我们标识的通流能力是在DEMO板定义的环境温度:-40C~+85C，和散热片当前设计下自然冷却下可以长期工作的电流值。实际应用中要考虑您应用中环境温度、撒热条件，是否存在负载周期问题。得到这些参数后参照器件本身的功率循环和热循环寿命进行选型。
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Q请问碳化硅与碳化镓那种更有优势一些
A应用场景不一样，SiC主要用于大功率，GaN主要用于高频和小型化
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QE-fuse为何要采用SiC？
ASiC 雪崩能力强，开关速度快。
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QE-Fuse 是否会受到电磁干扰的影响？
A几乎不考虑
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QSiC 电子熔断器能实现关断寿命是多少？
A和选用的半导体器件寿命相关，具体看选用的半导体器件技术手册